雖然設(shè)計(jì)者可以采用類似銅的辦法解決這個(gè)問題，但銅、鋁與芯片、基板嚴(yán)重的熱失配，給封裝的熱設(shè)計(jì)帶來很大困難，影響了它們的廣泛使用。1．2 鎢、鉬Mo的CTE為5．35×10-6K-1，與可伐和Al2O3非常匹配，它的熱導(dǎo)率相當(dāng)高，為138 W(m-K-1)，故常作為氣密封裝的底座與可伐的側(cè)墻焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金屬封裝中Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數(shù)值較小的物質(zhì)如Mo、W等復(fù)合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬復(fù)合材料。這些材料具有高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，同時(shí)融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據(jù)組元相對(duì)含量的變化進(jìn)行調(diào)整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。金屬封裝外殼CNC與鋁壓鑄融合便是先鋁壓鑄再運(yùn)用CNC深度加工。 用作封裝的底座或散熱片時(shí)，這種復(fù)合材料把熱量帶到下一級(jí)時(shí)，并不十分有效，但是在散熱方面是極為有效的。這與纖維本身的各向異性有關(guān)，纖維取向以及纖維體積分?jǐn)?shù)都會(huì)影響復(fù)合材料的性能。

不僅包括金屬封裝的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應(yīng)電子封裝發(fā)展的要求，國(guó)內(nèi)開展對(duì)金屬基復(fù)合材料的研究和使用將是非常重要的。鋁擠、DDG、粗銑內(nèi)接著將鋁合金板銑成手機(jī)機(jī)身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接著是粗銑內(nèi)腔，將內(nèi)腔以及夾具定位的柱加工好，起到精密加工的固定作用。因而用碳纖維(石墨纖維)增強(qiáng)的銅基復(fù)合材料在高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域很有吸引力。世界各國(guó)常有Al2O3彌散加強(qiáng)無氧運(yùn)動(dòng)高導(dǎo)銅商品，如英國(guó)SCM金屬制造企業(yè)的Glidcop帶有99．7％的銅和0．3％彌散遍布的Al2O3。與銅復(fù)合的材料沿碳纖維長(zhǎng)度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導(dǎo)率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長(zhǎng)度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導(dǎo)率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長(zhǎng)度方向的熱導(dǎo)率至少低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

密度大也使Cu／W具有對(duì)空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因?yàn)橐@得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對(duì)現(xiàn)代封裝的發(fā)展?？煞タ煞ズ辖?Fe-29Ni-17Co，中國(guó)牌號(hào)4J29)的CTE與Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE較為接近，具有良好的焊接性、加工性，能與硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金屬封裝中得到廣泛的使用。但由于其熱導(dǎo)率低，電阻率高，密度也較大，使其廣泛應(yīng)用受到了很大限制。許多密度低、的金屬基復(fù)合材料特別適合航空公司、航空航天主要用途。金屬基復(fù)合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術(shù)的一種電子封裝形式。它廣泛用于混合電路的封裝，主要是和定制的專用氣密封裝，在許多領(lǐng)域，尤其是在軍事及航空航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。