電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1. 溫度

溫度過高，首先就是 IPA不好控制，溫度一高， IPA 的揮發(fā)很快，氣泡印就會隨之出現(xiàn)，這樣就大大減少了 PN 結(jié)的有效面積，反應(yīng)加劇 , 還會出現(xiàn)片子的漂浮，造成碎片率的增加。

可控程度：調(diào)節(jié)機(jī)器的設(shè)置，可以很好的調(diào)節(jié)溫度。

2. 時間

金字塔隨時間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數(shù)開始成長；金字塔密布的絨面已經(jīng)形成，只是大小不均勻，反射率也降到比較低的情況；金字塔向外擴(kuò)張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降。可控程度：調(diào)節(jié)設(shè)備參數(shù)，可以調(diào)節(jié)時間。

3.IPA

1. 協(xié)助氫氣的釋放。 2. 減弱 NaOH 溶液對硅片的腐蝕力度，調(diào)節(jié)各向因子。純 NaOH 溶液在高溫下對原子排列比較稀疏的 100 晶面和比較致密的 111 晶面破壞比較大，各個晶面被腐蝕而消融， IPA 明顯減弱 NaOH 的腐蝕強(qiáng)度，增加了腐蝕的各向異性，有利于金字塔的成形。乙醇含量過高，堿溶液對硅溶液腐蝕能力變得很弱，各向異性因子又趨于 1 。

可控程度：根據(jù)配液的含量，及每次大約消耗的量，來補(bǔ)充一定量的液體，控制精度不高。

4.NaOH

形成金字塔絨面。 NaOH濃度越高，金字塔體積越小，反應(yīng)初期，金字塔成核密度近似不受 NaOH 濃度影響，堿溶液的腐蝕性隨 NaOH 濃度變化比較顯著，濃度高的 NaOH 溶液與硅反映的速度加快，再反應(yīng)一段時間后，金字塔體積更大。 NaOH 濃度超過一定界限時，各向異性因子變小，絨面會越來越差，類似于拋光?？煽爻潭龋号c IPA 類似，控制精度不高。

太陽電池片標(biāo)準(zhǔn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。 

3、界定 

3.1鈍性豁口豁口樣子展現(xiàn)為沿邊沿輕緩銜接，并不是向管理中心深層次的情況。 

3.2V形豁口豁口樣子展現(xiàn)為向管理中心銳利深層次的樣子，相近英文字母“V”。 

4、規(guī)定 

4.1設(shè)計方案和構(gòu)造4.1.1PCB原材料充電電池的PCB原材料就是指單晶硅片或多晶硅片，應(yīng)合乎有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 

4.1.2電級 

4.1.2.1電級圖型詳細(xì)電級圖型規(guī)格及樣子應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。4.1.2.2電級應(yīng)無掉色狀況（如硫化橡膠造成的掉色）。4.1.2.3電級的導(dǎo)電率應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。

4.1.2.4電級的可焊性應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3鋁背場4.1.3.1選用鋁背場總體設(shè)計的充電電池，因?yàn)榉疵驿X膜造成的充電電池彎折形變應(yīng)產(chǎn)成品的詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3.2反面鋁膜與PCB原材料的粘附抗壓強(qiáng)度應(yīng)產(chǎn)成品的詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3.3反面鋁膜的突起高寬比應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)要求。鋁膜圖型詳細(xì)，圖型偏移應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。

4.1.3.4反面鋁膜的導(dǎo)電率應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.4減反射膜選用減反射膜設(shè)計方案構(gòu)造的充電電池，減反射膜與PCB原材料的粘附抗壓強(qiáng)度選用5.1.4要求的方式 開展檢驗(yàn)后，減反射膜不掉下來。 

4.1.5規(guī)格表1和表2要求了典型性充電電池的規(guī)格規(guī)定，別的充電電池的規(guī)格規(guī)格型號規(guī)定應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。

電池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片流程

擴(kuò)散制結(jié)： 太陽能電池需要一個大面積的 PN 結(jié)以實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化， 而擴(kuò)散爐就是制造太陽能電池P-N 結(jié)的專用設(shè)備。擴(kuò)散用三氯氧磷為擴(kuò)散源。在 830 度的高溫下用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷離子，通過硅原子質(zhì)檢的空隙向硅片內(nèi)擴(kuò)散，形成 P-N 結(jié)。

需注意 :

石英舟一舟可放置 500 片， 擴(kuò)散面需跟制絨面在同一面上，擴(kuò)散為單面擴(kuò)散，工藝流程為 83 分鐘。

濕法刻蝕： 利用 HNO3 和 HF 的混合液體對擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕 , 去除邊緣的 N 型硅 , 使得硅片的上下表面相互絕緣。

需注意 : 刻蝕分為干濕兩法 ，目前采用濕法，刻蝕后需做親水性測試。

如何判斷親水性是否良好？

用純水滴在硅片上看硅片上的擴(kuò)散面積。機(jī)械臂流片需要返工因臭氧層丟失。

PEVCD:   鍍減反射膜可以有效降低光的反射 .

需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片，流程為 50 分鐘， 在此階段會發(fā)生色斑，色差等問題。

絲網(wǎng)印刷 ： 把帶有圖案的模版附著于絲網(wǎng)上進(jìn)行印刷   ， 通常絲網(wǎng)由尼龍、聚酯、絲綢或金屬網(wǎng)制作而成  ， 承印物直接放在帶有模版的絲網(wǎng)下面，漿料在刮刀的擠壓下穿過絲網(wǎng)間的網(wǎng)孔  ， 只有圖像部分能穿過，印刷到承印物上印刷流程為背電極——背電場——正電極。

需注意 ： 斷柵 問題會出現(xiàn)在此工藝段。也是電池片的后一大工藝段。