檢測電容器好壞的幾種常見方法

精度能達(dá)到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次。

電容器既是***的電器元件。也是容易損壞的電器元件，在沒有特殊儀表儀器的情況下檢測電容器的好壞，可用以幾種方法：

1、萬用表檢測法

對于O.01μF以上的固定電容器。可用萬用表的R×1k擋直接測試電容器有無充電過程以及有無內(nèi)部短路或漏電，并可根據(jù)指針向右擺動的幅度大小估計出電容的容量。測試操作時，濾波電容器廠家，先用兩表筆任意觸碰電容的兩引腳，然后調(diào)換表筆再觸碰一次，濾波電容器公司，如果電容是好的，萬用表指針會向右擺動一下，隨即向左迅速返回?zé)o窮大位置。電容量越大，指針擺動幅度越大。如果反復(fù)調(diào)換表筆觸碰電容兩引腳，萬用表指針始終不向右擺動，說明該電容的容量已低于0.01μF或者已經(jīng)消失。測量中，若指針向右擺動后不能再向左回到無窮大位置，說明電容漏電或已經(jīng)擊穿。4、使用的明電線（滑觸線）高度不宜小于3、5米，如低于3、5米的明電線應(yīng)有安全網(wǎng)罩，并設(shè)置明顯的安全標(biāo)志或信號指示燈。

電解電容器的檢測

A、因為電解電容的容量較一般固定電容大得多，所以，測量時，應(yīng)針對不同容量選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測量，大于47μF的電容可用R×100擋測量。

B、將萬用表紅表筆接負(fù)極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬用表指針即向右偏轉(zhuǎn)較大偏度(對于同一電阻擋，容量越大，擺幅越大)，接著逐漸向左回轉(zhuǎn)，直到停在某一位置。此時的阻值便是電解電容的正向漏電阻，此值略大于反向漏電阻。實際使用經(jīng)驗表明，電解電容的漏電阻一般應(yīng)在幾百kΩ以上，否則，將不能正常工作。在測試中，若正向、反向均無充電的現(xiàn)象，即表針不動，則說明容量消失或內(nèi)部斷路；優(yōu)良的自愈性能：過電壓所造成介質(zhì)局部擊穿能迅速自愈，恢復(fù)正常工作，使可靠性大為提高。如果所測阻值很小或為零，說明電容漏電大或已擊穿損壞，不能再使用。  

C、對于正、負(fù)極標(biāo)志不明的電解電容器，可利用上述測量漏電阻的方法加以判別。即先任意測一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測出一個阻值。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負(fù)極。

電容器的投切方式二

精度能達(dá)到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次

電子式無觸點可控硅投切電容器裝置（TSC）可控硅投切電容器，是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點。采用過零觸發(fā)電路，檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導(dǎo)通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導(dǎo)通運行時，可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算，運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達(dá)600W，而且都變成熱量，使機(jī)柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在，當(dāng)未接電容時，即使可控硅未導(dǎo)通，其輸出端也是高電壓。優(yōu)點：無涌流，無觸點，使用壽命長、維修少，投切速度快（5ms內(nèi)）；并聯(lián)方式的超級電容：以并聯(lián)方式建構(gòu)的超級電容器組件可以輸出或接受很大的電流。缺點：價格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右