光刻膠

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負(fù)膠的設(shè)計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當(dāng)顯影后NR9-3000PY顯示出負(fù)的側(cè)壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。項目共申請發(fā)明專利15項（包括國際專利5項），截止到目前，共獲得授權(quán)專利10項（包括國際專利授權(quán)3項）。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢：

光刻膠市場

全球光刻膠市場擴增，對光刻膠的總需求不斷提升。據(jù)估計，2015年國際光刻膠市場達(dá)73.6億美元，其中PCB光刻膠占比24.5%，LCD光刻膠占26.6%，半導(dǎo)體光刻膠占比24.1%。2010年到2015年期間，國際光刻膠市場年復(fù)合增長率約為5.8%；據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2015年，PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的國際市場增速均在5%左右。同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜應(yīng)力，從而提高光刻膠襯底上的附著性。在下游產(chǎn)業(yè)的帶動下，江瀚咨詢預(yù)計國際光刻膠市場規(guī)模在2022年可能突破100億美元。

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4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，經(jīng)與光刻版對準(zhǔn)后，進行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段；

對準(zhǔn)：指光刻板上與襯底的對版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對準(zhǔn)，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。

曝光時間，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應(yīng)影響，可在曝光后需進行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）

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正性光刻膠的金屬剝離技術(shù)

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細(xì)微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負(fù)光刻膠的性能作了對比分析。認(rèn)為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應(yīng)于微細(xì)圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負(fù)性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關(guān)鍵點及容易出現(xiàn)的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴(yán)格。據(jù)智研咨詢估計，得益于我國平面顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國光刻膠市場需求，在2022年可能突破27。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴(yán)格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。