脈沖激光沉積

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

在一階段，激光束聚焦在靶的表面。達(dá)到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時，靶表面的一切元素會快速受熱，到達(dá)蒸發(fā)溫度。物質(zhì)會從靶中分離出來，而蒸發(fā)出來的物質(zhì)的成分與靶的化學(xué)計量相同?！驹O(shè)備主要用途】PLD450A型脈沖激光沉積設(shè)備采用PLD脈沖激光沉積技術(shù)，用于制備高溫超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體膜、鐵電薄膜、硬質(zhì)薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)，也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機(jī)—無機(jī)復(fù)合材料薄膜及金剛石薄膜等。物質(zhì)的瞬時熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機(jī)制涉及許多復(fù)雜的物理現(xiàn)象，例如碰撞、熱，與電子的激發(fā)、層離，以及流體力學(xué)。

在第二階段，根據(jù)氣體動力學(xué)定律，發(fā)射出來的物質(zhì)有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象?？臻g厚度隨函數(shù)cosnθ而變化，而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度，對沉積膜是否均勻有重要的影響。脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。靶與基片的距離是另一個因素，支配熔化物質(zhì)的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn)，將一塊障板放近基片會縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵。放出的高能核素碰擊基片表面，可能對基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個碰撞區(qū)。系統(tǒng)使用程序化的成像鏈(OpticalTrain)，包括聚焦透鏡、反射鏡臺、動力反射鏡支撐架和智能視窗等，無需頻繁地校準(zhǔn)光學(xué)組件。膜在這個熱能區(qū)（碰撞區(qū)）形成后立即生成，這個區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的較佳場所。只要凝結(jié)率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達(dá)到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。

脈沖激光沉積的優(yōu)點(diǎn)

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1. 易獲得期望化學(xué)計量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性；

2. 沉積速率高，試驗(yàn)周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻；

3. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié)，對靶材的種類沒有限制；

4. 發(fā)展?jié)摿薮?，具有極大的兼容性；

5. 便于清潔處理，可以制備多種薄膜材料。

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長室，進(jìn)樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達(dá)100Pa可預(yù)留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。另外，PLD是一種“數(shù)字”技術(shù)，在納米尺度上進(jìn)行工藝控制（A°/pulse）。

脈沖激光沉積系統(tǒng)特點(diǎn)及優(yōu)勢

可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術(shù)支持；靶臺可以安裝6個靶位，靶材更換靈活；樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進(jìn)樣室可以存儲多個靶和樣品；交易過程無需繁瑣的進(jìn)、出關(guān)手續(xù), 交貨期短，性價比高；

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