小型自動(dòng)磁控濺射儀

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專(zhuān)業(yè)磁控濺射產(chǎn)品供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

1. 濺射室極限真空度：≤6.6×10-6 Pa

2. 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S

3. 系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣：濺射室30分鐘可達(dá)到6.6×10-4 Pa；

4. 系統(tǒng)停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5Pa

5. 濺射真空室1套，立式上開(kāi)蓋結(jié)構(gòu)，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不銹鋼結(jié)構(gòu)，弧焊接，表面進(jìn)行電化學(xué)拋光，內(nèi)含防污內(nèi)襯，可內(nèi)烘烤到100～150℃，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，腔體內(nèi)有照明系統(tǒng)

6. 磁控濺射系統(tǒng) 3套， 提供3塊測(cè)試靶材。鍍膜不均勻度≤5%

7. 旋轉(zhuǎn)基片臺(tái) 1套，樣品臺(tái)可放置不小于100mm樣品1片，具有連續(xù)旋轉(zhuǎn)功能，旋轉(zhuǎn)0—30轉(zhuǎn)/分連續(xù)可調(diào)?；訜釡囟龋菏覝亍?00°C連續(xù)可調(diào)，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動(dòng)控溫及數(shù)字顯示

8. 觀察窗口及法蘭接口部件 1套

9. 工作氣路1套，包含：100SCCM、20SCCM質(zhì)量流量控制器、CF16截止閥、管路、接頭等共2路； DN16充氣閥、管路、接頭等2路；

10. 抽氣機(jī)組及閥門(mén)、管道 1套，包含1臺(tái)進(jìn)口復(fù)合分子泵及變頻控制電源（680L/s ，德國(guó)普發(fā)Hipace700分子泵）；蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。1臺(tái)機(jī)械泵（4L/S） ，1臺(tái)DN40氣動(dòng)截止閥，機(jī)械泵與真空室之間的旁抽管路1套，CC150氣動(dòng)閘板閥1臺(tái)（用于復(fù)合分子泵與真空室隔離），節(jié)流閥1臺(tái)，DN40旁抽氣閥1臺(tái)，壓差式充氣閥1臺(tái)；管道采用不銹鋼三通及波紋管，

11. 安裝機(jī)臺(tái)架組件 1套，由方鋼型材焊接成，快卸圍板表面噴塑處理，機(jī)臺(tái)表面用不銹鋼蒙皮裝飾，四只腳輪，可固定，可移動(dòng)。

磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專(zhuān)院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。　　

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成?！?

技術(shù)指標(biāo)：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa（短時(shí)間暴露　　大氣并充干燥氮?dú)夂箝_(kāi)始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負(fù)偏壓 -200V　　

樣品轉(zhuǎn)盤(pán)：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤(pán)由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，計(jì)算機(jī)控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的功能：對(duì)位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時(shí)間的變化做實(shí)時(shí)采集，對(duì)位移誤差進(jìn)行計(jì)算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對(duì)位移曲線可在線性和對(duì)數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換，可實(shí)現(xiàn)換位鍍膜。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

磁控濺射的工作原理

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磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱(chēng)E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。當(dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái)。

磁控濺射鍍膜機(jī)導(dǎo)致不均勻因素哪些？

原理上講，兩點(diǎn)：氣場(chǎng)和磁場(chǎng)

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場(chǎng)情況是濺射速率較高的情況，氣場(chǎng)變化，壓強(qiáng)變大和變小都會(huì)影響濺射速率。

磁場(chǎng)大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場(chǎng)小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩(wěn)定住氣場(chǎng)和磁場(chǎng)，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。

在實(shí)際情況下，氣場(chǎng)穩(wěn)定，需要設(shè)計(jì)布?xì)庀到y(tǒng)，將布?xì)庀到y(tǒng)分級(jí)布置，保障鍍膜機(jī)腔體內(nèi)不同位置的進(jìn)氣量相同，同時(shí)，布?xì)庀到y(tǒng)、靶材、基材等要遠(yuǎn)離鍍膜機(jī)的抽氣口。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話。需要穩(wěn)定磁場(chǎng)，用高斯計(jì)測(cè)量靶材表面磁場(chǎng)強(qiáng)度，由于磁場(chǎng)線本身是閉合曲線，靶材磁場(chǎng)回路兩端磁場(chǎng)強(qiáng)度自然比中間位置強(qiáng)，可以選擇用弱磁鐵，同時(shí)，基材要避開(kāi)無(wú)法調(diào)整的磁場(chǎng)變化較大的部分。

另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，磁控濺射過(guò)程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行的話，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行。