電池片的檢驗(yàn)

電池片的檢驗(yàn)

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級(jí)：主柵線容許有輕度斷開(kāi)、缺少、歪曲、突顯，斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，不容許有斷開(kāi)，缺少、歪曲及其突顯。 

B級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，容許有斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級(jí)：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過(guò)0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開(kāi)，斷掉總數(shù)≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點(diǎn)；不容許有掉色狀況。 

B級(jí)：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的10%. 

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場(chǎng)：

A 級(jí)：

背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 15% 。

C 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 50% 。

粗點(diǎn)：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點(diǎn)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ，個(gè)數(shù)小于 5 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點(diǎn)，粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ，個(gè)數(shù)小于 8 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時(shí)，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。

電池片的制作工藝

參數(shù)相互關(guān)系

1. 壓力與間距：壓力越大時(shí)，間距也大；因?yàn)閴毫Υ髸r(shí)，與網(wǎng)板接觸的地方凸出來(lái)也多，間距小的話，硅片承受的壓力加大，碎片的概率會(huì)加大。兩個(gè)參數(shù)當(dāng)中的一個(gè)改變 ,  另外一個(gè)不改 ,  就可能加大硅片碎的可能性或影響印刷質(zhì)量。  

2. 印刷速度影響到產(chǎn)能 ,  同時(shí)也影響到印刷到硅片漿料的多少。

印刷參數(shù)的調(diào)整

1. 先把印刷速度改小，以方便在調(diào)試時(shí)能很好的觀察（如印刷速度為 50mm ) 。   完全松開(kāi)鎖定螺絲，并保證和回左右的固定螺絲未鎖，能自由活動(dòng)。

2. 先設(shè)定印刷間距：印刷間距以漿料能很好的印刷到硅片為宜，無(wú)粘片和虛印。 (  推薦為： 1.5 0.3)

3. 在間距定下后，設(shè)定印刷壓力。壓力由小到大慢慢加，加到在印刷時(shí)漿料能收干凈就可以。

參數(shù)的調(diào)整

4. 在壓力和間距設(shè)定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否則再作微調(diào)。（印刷速度未改）

5. 合格后，   慢慢朝下擰鎖定螺絲，在感覺(jué)到鎖定螺絲剛碰到東西時(shí)，把鎖定螺絲鎖住。這個(gè)動(dòng)作相當(dāng)于找到了一個(gè)刮膠下降的一個(gè)限位，保證在壓力加大時(shí)不會(huì)再下壓。

6. 然后加快印刷速度，并測(cè)印刷重量，如過(guò)大，則減速，過(guò)小，則加速。（推薦 170mm ) 。

電池片流程

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電池片流程

1、   車(chē)間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽(yáng)能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對(duì)硅片的來(lái)料檢測(cè)，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會(huì)厚薄不均，放片時(shí)需 180 度錯(cuò)落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會(huì)有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時(shí)需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對(duì)表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會(huì)影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問(wèn)題制絨過(guò)程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時(shí)間為兩小時(shí)，兩小時(shí)內(nèi)要及時(shí)送入下一工序。