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低溫光刻膠公司廠家供應,北京賽米萊德

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發(fā)布時間:2020-12-11 08:19  






光刻膠是什么材料

光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應用。印刷工業(yè)是光刻膠應用的另一重要領域。

1、光刻膠的技術復雜,品種較多。根據(jù)其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠。反之,對某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質的即為正性膠。

2、普通的光刻膠在成像過程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻膠圖形的對比度,從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小,入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能,人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入,可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射,從而改善光刻膠的分辨率性能,但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。

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光刻膠的未來市場

光刻膠市場需求逐年增加,2018年全球半導體光刻膠銷售額12.97億美元,而國內光刻膠需求量方面,2011年光刻膠需求量為3.51萬噸,到2017年需求量為7.99萬噸,年復合增長率達14.69%。

國內光刻膠需求量遠大于本土產(chǎn)量,且差額逐年擴大。由于中國大陸光刻膠市場起步晚,目前技術水平相對落后,生產(chǎn)產(chǎn)能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產(chǎn)品,TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產(chǎn)品產(chǎn)能很少。

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光刻膠的組成部分

光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分,構成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質是光刻膠的關鍵組分,對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。

分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來越小,對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術參數(shù)包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

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選擇光刻膠需要注意什么

光刻加工工藝中為了圖形轉移,輻照必須作用在光刻膠上,通過改變光刻膠材料的性質,使得在完成光刻工藝后,光刻版圖形被拷貝在圓片的表面。而加工前,如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是較好的,但實際應用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮,需要對光刻膠進行合理的選擇。



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