小型自動磁控濺射儀

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)磁控濺射產(chǎn)品供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

1. 濺射室極限真空度：≤6.6×10-6 Pa

2. 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S

3. 系統(tǒng)從大氣開始抽氣：濺射室30分鐘可達(dá)到6.6×10-4 Pa；

4. 系統(tǒng)停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5Pa

5. 濺射真空室1套，立式上開蓋結(jié)構(gòu)，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不銹鋼結(jié)構(gòu)，弧焊接，表面進(jìn)行電化學(xué)拋光，內(nèi)含防污內(nèi)襯，可內(nèi)烘烤到100～150℃，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，腔體內(nèi)有照明系統(tǒng)

6. 磁控濺射系統(tǒng) 3套， 提供3塊測試靶材。鍍膜不均勻度≤5%

7. 旋轉(zhuǎn)基片臺 1套，樣品臺可放置不小于100mm樣品1片，具有連續(xù)旋轉(zhuǎn)功能，旋轉(zhuǎn)0—30轉(zhuǎn)/分連續(xù)可調(diào)。基片加熱溫度：室溫—500°C連續(xù)可調(diào)，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動控溫及數(shù)字顯示

8. 觀察窗口及法蘭接口部件 1套

9. 工作氣路1套，包含：100SCCM、20SCCM質(zhì)量流量控制器、CF16截止閥、管路、接頭等共2路； DN16充氣閥、管路、接頭等2路；

10. 抽氣機(jī)組及閥門、管道 1套，包含1臺進(jìn)口復(fù)合分子泵及變頻控制電源（680L/s ，德國普發(fā)Hipace700分子泵）；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。1臺機(jī)械泵（4L/S） ，1臺DN40氣動截止閥，機(jī)械泵與真空室之間的旁抽管路1套，CC150氣動閘板閥1臺（用于復(fù)合分子泵與真空室隔離），節(jié)流閥1臺，DN40旁抽氣閥1臺，壓差式充氣閥1臺；管道采用不銹鋼三通及波紋管，

11. 安裝機(jī)臺架組件 1套，由方鋼型材焊接成，快卸圍板表面噴塑處理，機(jī)臺表面用不銹鋼蒙皮裝飾，四只腳輪，可固定，可移動。

自動磁控濺射系統(tǒng)有哪些特點(diǎn)？

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

自動磁控濺射系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)：

不銹鋼腔體

晶振夾具具有的<1 ?的厚度分辨率

帶觀察視窗的腔門易于上下的載片

基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)控制

帶密碼保護(hù)功能的多級訪問控制

完全的安全聯(lián)鎖功能

預(yù)真空鎖以及自動晶圓片上/下的載片

小型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)簡介

小型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)適合于快速濺射鍍膜科研、教學(xué)與小批量打樣，可快速、低成本的制備多種微納米厚度的膜層。

具有一體化、占用空間小、靈活的特點(diǎn)，無需380V工業(yè)電，無需額外冷水機(jī)，采用無油干泵分子泵組，無需操心真空系統(tǒng)和操作間環(huán)境泵油污染。

保證設(shè)備具有優(yōu)異的質(zhì)量與穩(wěn)定可靠性。觸摸屏控制界面，帶來簡單、操作方便的體驗(yàn)。

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磁控濺射鍍膜機(jī)導(dǎo)致不均勻因素哪些？

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原理上講，兩點(diǎn)：氣場和磁場

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場情況是濺射速率較高的情況，氣場變化，壓強(qiáng)變大和變小都會影響濺射速率。

磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩(wěn)定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。

在實(shí)際情況下，氣場穩(wěn)定，需要設(shè)計(jì)布?xì)庀到y(tǒng)，將布?xì)庀到y(tǒng)分級布置，保障鍍膜機(jī)腔體內(nèi)不同位置的進(jìn)氣量相同，同時(shí)，布?xì)庀到y(tǒng)、靶材、基材等要遠(yuǎn)離鍍膜機(jī)的抽氣口。濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較一般。需要穩(wěn)定磁場，用高斯計(jì)測量靶材表面磁場強(qiáng)度，由于磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場回路兩端磁場強(qiáng)度自然比中間位置強(qiáng)，可以選擇用弱磁鐵，同時(shí)，基材要避開無法調(diào)整的磁場變化較大的部分。

另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行的話，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行。