氧化鎂(MgO)單晶的熔點(diǎn)高達(dá)2800℃,是無(wú)殘留氣孔的高致密性材料。因其光透過(guò)率、折射率、熱導(dǎo)率、電絕緣性、化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度等方面性能優(yōu)異。氧化鎂（MgO）單晶基片廣泛應(yīng)用在多個(gè)薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。

氧化鎂（MgO）是離子化合物，同樣也是離子晶體，雖然一般來(lái)說(shuō)，原子晶體的熔點(diǎn)的確比離子晶體高，但是這并不絕1對(duì)，鍵能較低的原子晶體熔點(diǎn)明顯比鍵能高的離子晶體低。因?yàn)檠趸V是由氧離子和鎂離子通過(guò)離子鍵結(jié)合成的.。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，尤其是光電產(chǎn)業(yè)和無(wú)線通訊的發(fā)展，單晶氧化鎂的需要量越來(lái)越大，發(fā)展前景非常廣闊。在各領(lǐng)域應(yīng)用中，氧化鎂單晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之間，甚至更大。

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，尤其是光電產(chǎn)業(yè)和無(wú)線通訊的發(fā)展，單晶氧化鎂的需要量越來(lái)越大，發(fā)展前景非常廣闊。氧化鎂是一種典型的堿土氧化物,其晶體為巖鹽結(jié)構(gòu),是研究晶體色心性質(zhì)的重要材料,也是一種重要的光學(xué)及光電子學(xué)材料。透明MgO單晶的熔點(diǎn)高達(dá)2800℃,是無(wú)殘留氣孔的高致密性材料。因其光透過(guò)率、折射率、熱導(dǎo)率、電絕緣性、化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度等方面性能優(yōu)異。