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測(cè)試的IGBT參數(shù)包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門極漏流)、IGESR(反向門極漏流)、VGETH(門檻電壓/閾值)、VGEON(通態(tài)門極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態(tài)集極漏流)、VF(二極管壓降)、GFS(跨導(dǎo))、rCE(導(dǎo)通電阻)等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求1、設(shè)備概述該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,通過測(cè)試夾具的連接,實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與原出廠指標(biāo)比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。關(guān)斷時(shí)間測(cè)試參數(shù): 1、關(guān)斷時(shí)間toff:5~2000ns±3%±3ns 2、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off):5~2000ns±3%±3ns 3、下降時(shí)間tf:5~2000ns±3%±3ns 4、關(guān)斷能量:0。每個(gè)電流模塊,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),以便在測(cè)試時(shí),提供內(nèi)部電路及電池組充電之用; 可選購?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2KV。
參數(shù)名稱 符號(hào) 參數(shù)名稱 符號(hào)
開通延遲時(shí)間 td(on) 關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off)
上升時(shí)間 tr 下降時(shí)間 tf
開通時(shí)間 ton 關(guān)斷時(shí)間 toff
開通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff
柵極電荷 Qg
短路電流 ISC / /
可測(cè)量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)
反向恢復(fù)電流 IRM 反向恢復(fù)電荷 Qrr
反向恢復(fù)時(shí)間 trr 反向恢復(fù)損耗 Erec
主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件
Vce
集射極電壓 150~3300V 150~500V±3%±1V;
500~1000V±2%±2V;
1000~3300V±1%±5V; 150~3300V
Ic
集射極電流 1~200A 1~200A±3%±1A; 1~200A
Vge
柵極電壓 -30V~30V -30~0V±1%±0.1V;
0~ 30V±1%±0.1V -30V~30V
Qg
柵極電荷 400~20000nC Ig: 0~50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
開通/關(guān)斷延遲 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降時(shí)間 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;
Eon、Eoff
開通/關(guān)斷能量 1~5000mJ 1~50mJ±2%±0.1mJ;
50~200mJ±2%±1mJ;
200~1000mJ±2%±2mJ;
1000~5000mJ±1%±5mJ;
11)動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管
用于防止測(cè)試過程中的過電壓。
?壓降小于1V
?浪涌電流大于20kA
?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs
?工作溫度 室溫~40℃
?工作濕度 <70%
12)安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管
?浪涌電流 大于20kA
?反向恢復(fù)時(shí)間 小于2μS
?工作濕度 <70%
13)被測(cè)器件旁路開關(guān)
被測(cè)安全接地開關(guān),設(shè)備不運(yùn)行時(shí),被測(cè)接地。
?電流能力 DC 50A
?隔離耐壓 15kV
?響應(yīng)時(shí)間 150ms
?工作方式 氣動(dòng)控制
?工作氣壓 0.4MPa
?工作濕度 <70%