脈沖激光沉積簡介

隨著現(xiàn)代科學和技術的發(fā)展，薄膜科學已成為近年來迅速發(fā)展的學科領域之一，是凝聚態(tài)物理學和材料科學的一個重要研究領域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面，它不僅具有豐富的物理內(nèi)涵，而且在微電子、光電子、超導材料等領域具有十分廣泛的應用。長期以來，人們發(fā)明了多種制膜技術和方法：真空蒸發(fā)沉積、離子束濺射、磁控濺射沉積、分子束外延、金屬有機化學氣相沉積、溶膠- 凝膠法等。在第二階段，根據(jù)氣體動力學定律，發(fā)射出來的物質有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象。上述方法各有特點，并在一些領域得到應用。但由于其各有局限性，仍然不能滿足薄膜研究的發(fā)展及多種薄膜制備的需要。隨著激光技術和設備的發(fā)展，特別是高功率脈沖激光技術的發(fā)展，脈沖激光沉積（PLD）技術的特點逐漸被人們認識和接受

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脈沖激光沉積

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在一階段，激光束聚焦在靶的表面。達到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時，靶表面的一切元素會快速受熱，到達蒸發(fā)溫度。物質會從靶中分離出來，而蒸發(fā)出來的物質的成分與靶的化學計量相同。PLD450型脈沖激光鍍膜介紹沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰＮ镔|的瞬時熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機制涉及許多復雜的物理現(xiàn)象，例如碰撞、熱，與電子的激發(fā)、層離，以及流體力學。

在第二階段，根據(jù)氣體動力學定律，發(fā)射出來的物質有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象。空間厚度隨函數(shù)cosnθ而變化，而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度，對沉積膜是否均勻有重要的影響?！驹O備主要組成】設備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉臺、激光入射轉靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計算機控制轉靶的旋轉、脈沖準分子激光器等組成。靶與基片的距離是另一個因素，支配熔化物質的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn)，將一塊障板放近基片會縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質量的關鍵。放出的高能核素碰擊基片表面，可能對基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個碰撞區(qū)。磁力桿傳送基底到基底旋轉器上，可手動或電動降低旋轉器，實現(xiàn)簡單快速地更換4。膜在這個熱能區(qū)（碰撞區(qū)）形成后立即生成，這個區(qū)域正好成為凝結粒子的較佳場所。只要凝結率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。

脈沖激光沉積的應用領域

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，以下信息由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供。

脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應用領域：

單晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）

鐵電薄膜（BaTiO3，KH2PO4）

熱電薄膜（SrTiO3）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）

半導體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）

高K介質薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）

超導薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）

光波導，光學薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測薄膜（V2O5，PZT）

脈沖激光沉積系統(tǒng)的配置介紹

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

1.靶: 數(shù)量6個，大小1-2英寸，被激光照射時可自動旋轉，靶的選擇可通過步進電機控制;

2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉，工作環(huán)境的壓力可達300mtorr;

3.基板加熱電源，高到1200度;

4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;

5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;

6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機械泵;

7.閥門: 采用超高真空擋板閥;

8.真空檢測:真空計;

9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;

10.薄膜生長監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;

11.監(jiān)控系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設定，基板和靶的旋轉，靶的更換等;

12.各種電流導入及測溫端子;

13.其它各種構造:各種超高真空位移臺，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等;