負性光刻膠

負性光刻膠

    負性光刻膠分為粘性增強負性光刻膠、加工負性光刻膠、剝離處理用負性光刻膠三種。

    A、粘性增強負性光刻膠

    粘性增強負膠的應(yīng)用是在設(shè)計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負膠。粘性增強負膠的特性是在濕刻和電鍍應(yīng)用時的粘附力；很容易用光膠剝離器去除，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

    粘性增強負膠對生產(chǎn)量的影響，消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。優(yōu)于傳統(tǒng)正膠的優(yōu)勢：控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個顯影器同時應(yīng)用于負膠和正膠、不必使用粘度增強劑。這些化學(xué)成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。

    i線曝光用粘度增強負膠系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h線曝光用粘度增強負膠系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工負膠

    加工負膠的應(yīng)用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負膠的特性在RIE加工時優(yōu)異的選擇性以及在離子植入時優(yōu)異的溫度阻抗，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長曝光。

    加工負膠優(yōu)于正膠的優(yōu)勢是控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時不會出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個顯影器同時應(yīng)用于負膠和正膠、優(yōu)異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應(yīng)離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度，從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進行高能量離子減薄、不必使用粘度促進劑。從對準信號上分，主要包括標記的顯微圖像對準、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。

    用于i線曝光的加工負膠系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

NR77-20000PNR9 1500PY光刻膠公司

6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗,光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。四、對準（Alignment）光刻對準技術(shù)是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術(shù)之一，一般要求對準精度為最細線寬尺寸的1/7---1/10。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉，達到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。

美國Futurre光刻膠

30．想請教國產(chǎn)光刻膠不能達到膜厚要求，進口的有沒有比較好的光刻膠?。?

都可以??！goodpr是大陸比較多公司采用的，

但是Futurre 光刻膠在國外是比較有名氣的，包括很多大型企業(yè)都有用，膜厚做的也

比較厚從18um-200um都 可以做到，看你對工藝的要求了。

光刻膠品牌FUTURRE光刻膠產(chǎn)品屬性：

1  FUTURRE光刻膠產(chǎn)品簡要描述及優(yōu)勢:

1.1   Futurre光刻膠黏附性好，無需使用增粘劑（HMDS）

1.2  負性光刻膠常溫下可保存3年

1.3  150度烘烤，縮短了烘烤時間

1.4  單次旋涂能夠達到100um膜厚

1.5  顯影速率快，100微米的膜厚，僅需6~8分鐘

光刻膠

按感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯(lián)型光刻膠。在應(yīng)用中，采用不同單體可以形成正、負圖案，并可在光刻過程中改變材料溶解性、抗蝕性等。

光聚合型光刻膠

烯類，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發(fā)單體聚合。

光分解型光刻膠

疊氮醌類化合物，經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng)，由油溶性變?yōu)樗苄浴?

光交聯(lián)型光刻膠

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的雙鍵打開，鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)從而起到抗蝕作用。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。

按應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)的水平。