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光刻膠分類
光刻膠按其形成圖形的極性可以分為:正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子;負(fù)膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉,因此正膠的曝光部分被去掉,而負(fù)膠的曝光部分被保留。
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光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
1、分辨率:區(qū)別硅片表面相鄰圖形特性的能力,一般用關(guān)鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。
2、對比度:指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,分辨率越好。
3、敏感度:光刻膠上產(chǎn)生一 個良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠
的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。
4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的
粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。
5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。
6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕I序中保護(hù)襯底表面。
7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
8、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。
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光刻膠的組成
光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質(zhì)、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分,構(gòu)成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質(zhì)是光刻膠的關(guān)鍵組分,對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。
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光刻膠介紹
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光刻膠是電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工關(guān)鍵材料之一,是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下,其溶解度發(fā)生變化,經(jīng)適當(dāng)溶劑處理,溶去可溶性部分,然后得到所需圖像。 光刻膠作為技術(shù)門檻極高的電子化學(xué)品一直被國際企業(yè)壟斷。 隨著大力研發(fā)和投入, 國內(nèi)企業(yè)已逐步從低端 PCB 光刻膠發(fā)展至中端半導(dǎo)體光刻膠的量產(chǎn)。