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壓電陶瓷片的電容計算與瓷介電容器的容量計算是一樣的,
采用平板電容器的計算公式,(注意單位)
C=ε×S/d
C—電容量(F)
ε—介質(zhì)的介電系數(shù)(F/m)
S—電極面積(m2)
d—介質(zhì)厚度(m)。
像 BaTiO,那樣的單元系壓電陶瓷,還有 PbTiO 和PbZrO 等。PbTiO,陶瓷是一種鈣鈦礦結(jié)構的材料,它具有居里溫度高(490℃)、各向異性大(c/a=1.064)和介電常數(shù)小(8=200)等特點。另外,它的諧頻溫度特性也比較好,并且頻率常數(shù)比PZT高,所以是一種很有前途的高溫高頻壓電材料。但是用常規(guī)方法很難獲得致密的純PbTiO 壓電陶瓷,因為 PbTiO,陶瓷燒結(jié)后,冷卻到居里點(490cC)時易出現(xiàn)微裂紋,甚至破碎。例如,壓電陶瓷揚聲器等音頻元件要求陶瓷的介電常數(shù)要大,而高頻壓電陶瓷元器件則要求材料的介電常數(shù)要小。所以人們往往采用引入添加物的方法對其進行改性?,F(xiàn)在用 Mn、W、Ca、 Bi、La和 Nb改性的PbTiO,陶瓷,都具有良好的壓電性能,是生產(chǎn)高頻壓電濾波器的優(yōu)良材料剛。