真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。Parylene HT（SCS）該材料具有更低的介電常數(shù)(即透波性能好)、好的穩(wěn)固性和防水、防霉、防鹽霧性能.短期耐溫可達(dá)450攝氏度,長(zhǎng)期耐溫可達(dá)350攝氏度,并具有強(qiáng)的抗紫外線(xiàn)能力.更適合作為高頻微波器件的防護(hù)材料。

       Parylene真空鍍膜以其良好的耐腐蝕、耐，、 低阻滯性、低摩擦系數(shù)及生物相容性，在國(guó)際臨床運(yùn)用的生物的表面涂層上，將逐步取代TiNi（鎳鈦）合金涂層而被列為*材料。如骨釘、探針、針頭、臨時(shí)手術(shù)器械、導(dǎo)尿管、制動(dòng)器及耳蝸植入器，心臟起搏器、腦電極、植入式傳感器、射頻、血液分析傳感器和高頻手術(shù)刀等微型電子。

       真空涂層技術(shù)發(fā)展到了今天還出現(xiàn)了PCVD(物理化學(xué)氣相沉積)、MI-CVD(中溫化學(xué)氣相沉積)等新技術(shù)，各種涂層設(shè)備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍?cè)O(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易操作。多弧鍍的不足之處是，在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下，當(dāng)涂層厚度達(dá)到0.3μm時(shí)，沉積率與反射率接近，成膜變得非常困難。而且，薄膜表面開(kāi)始變朦。多弧鍍另一個(gè)不足之處是，由于金屬是熔后蒸發(fā)，因此沉積顆粒較大，致密度低，耐磨性比磁控濺射法成膜差?？梢?jiàn)，多弧鍍膜與磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣，為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性，實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)，將多弧技術(shù)與磁控技術(shù)合而為一的涂層機(jī)應(yīng)運(yùn)而生。在工藝上出現(xiàn)了多弧鍍打底，然后利用磁控濺射法増厚涂層，后再利用多弧鍍達(dá)到終穩(wěn)定的表面涂層顏色的新方法。

原子層沉積是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。當(dāng)前驅(qū)體達(dá)到沉積基體表面，它們會(huì)在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對(duì)原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實(shí)現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進(jìn)行物理吸附，但是要實(shí)現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能，因此能否實(shí)現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。