LED外延片生長(zhǎng)的基本原理

LED外延片是一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片，材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。

LED外延片生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。

LED外延片襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。

電子芯片和led芯片有什么區(qū)別？

我們平常所見(jiàn)到的電子芯片，比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等，跟LED芯片主要有什么區(qū)別？LED芯片是不是只是把一大堆能發(fā)光的二極管布在晶圓上呢？LED芯片有沒(méi)有28nm、14nm這樣的制程的說(shuō)法呢？

蕞大的不同是：1，材料不一樣，前者為硅基，后者為三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者對(duì)材料缺陷率要求更高。

電子芯片長(zhǎng)在硅襯底上，中間各種光刻、刻蝕、摻雜、長(zhǎng)膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料為主；而LED長(zhǎng)在藍(lán)寶石（Al2O3）、SiC或Si襯底上，緩沖層后長(zhǎng)成后，再長(zhǎng)N型GaN層和P型GaN層，中間一層多量i子阱發(fā)光層。電流經(jīng)過(guò)PN結(jié)時(shí)因?yàn)殡妱?shì)能的變化將多余的能量以光的形式散發(fā)出去，不同的電勢(shì)能差則光的能量也有不同，表現(xiàn)就是不同的發(fā)光顏色（如藍(lán)光、紅光LED，紅光能量低技術(shù)簡(jiǎn)單，很多年以前就出來(lái)了；藍(lán)光LED能量高，難度大。藍(lán)光LED激發(fā)黃色熒光粉可產(chǎn)生白光）

Led模組的產(chǎn)品特性：

特性1：高能效 高流明輸出，極低光衰。

特性2：紫外線及紅外線輻射幾乎為零。

特性3：防塵防雨，防護(hù)等級(jí)達(dá)到IP66。

特性4：大視角發(fā)光，滿足不同視距及正視和側(cè)視時(shí)發(fā)光強(qiáng)度,需一致的視覺(jué)要求。

LED模組應(yīng)用范圍

外發(fā)光標(biāo)識(shí) 、立體字，筆劃繁復(fù)的面板發(fā)光字 、燈箱等。

希望以上的講解，對(duì)您有所幫助，感謝您的支持。