電源模塊外殼溫升測(cè)試

測(cè)試外殼溫升可以用熱成像儀或是熱電偶測(cè)試，由于發(fā)射率對(duì)紅外熱成像儀測(cè)量的結(jié)果有影響，從而會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果存在一定的偏差，一般推薦用熱電偶測(cè)試。

如環(huán)境溫度Ta=25℃，實(shí)際用熱電偶測(cè)的電源模塊的外殼溫度Tc=50℃ ，那么模塊的溫升是△T=Tc - Ta=50 - 25=25℃。其中 Tc----殼溫，Ta----環(huán)境溫度，△T----溫升。

注意事項(xiàng)：不同模塊由于功率、外殼材質(zhì)、內(nèi)部設(shè)計(jì)等的不同，外殼溫度會(huì)有很大的差異。相同環(huán)境條件下，金屬外殼比塑料外殼散熱好，內(nèi)部元件的結(jié)溫更低，可靠性更好。與此同時(shí)，由于5G基a站載板中使用了大量FPGA/ASIC芯片，因此針對(duì)FPGA/ASIC芯片的電源設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，涉及的電源軌數(shù)較多，啟動(dòng)/關(guān)閉時(shí)序嚴(yán)格，精度高，響應(yīng)速度快，低噪聲。對(duì)于密閉的使用環(huán)境，因無(wú)自然通風(fēng)，建議將電源模塊與溫度敏感元器件盡量遠(yuǎn)離或是隔離為兩個(gè)空間。

開關(guān)電源對(duì)于Vds有什么要求

Vds的應(yīng)力要求：

惡劣條件(輸入電壓高，負(fù)載大，環(huán)境溫度高，電源啟動(dòng)或短路測(cè)試)下，Vds的上限值不應(yīng)超過(guò)額定規(guī)格的90%

Vds降低的辦法：

1)降低平臺(tái)電壓：減小變壓器原副邊圈數(shù)比;

2)減小尖峰電壓：

a.減小漏感：

變壓器漏感在開關(guān)管開通是存儲(chǔ)能量是產(chǎn)生這個(gè)尖峰電壓的主要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓。

b.調(diào)整吸收電路：

①使用TVS管;

②使用較慢速的二極管，其本身可以吸收一定的能量(尖峰);

③插入阻尼電阻可以使得波形更加平滑，利于減小EMI。

1、輸入輸出電壓差下限

在保證穩(wěn)壓電源正常工作下，所需輸入輸出間下限的電壓差值。

2、紋波抑制比

紋波抑制比指穩(wěn)壓電源對(duì)輸入端引入市電電壓的抑制能力，當(dāng)穩(wěn)壓電源輸入和輸出條件保持不變時(shí)，紋波抑制比常以輸入紋波電壓峰-峰值與輸出紋波電壓峰-峰值之比表示。

3、溫度穩(wěn)定性

溫度穩(wěn)定性是在所規(guī)定的穩(wěn)壓電源工作溫度變化范圍內(nèi)，穩(wěn)壓電源輸出電壓的相對(duì)變化的百分比值。

電源模塊啟動(dòng)困難怎么辦？

電源模塊在啟動(dòng)中出現(xiàn)啟動(dòng)困難,甚至啟動(dòng)不了。大家在使用電源模塊過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)電源模塊輸出端電壓正常,輸出端就是沒(méi)有任何輸出,電源模塊也無(wú)損壞,是什么原因呢?具體原因如下所示:

1、外接電容過(guò)大;

2、容性負(fù)載過(guò)大;

3、負(fù)載電流過(guò)大;

4、輸入電源功率不夠。

針對(duì)這一類問(wèn)題,可以通過(guò)調(diào)整輸出端的電容以及負(fù)載或調(diào)整輸入端的功率進(jìn)行改善,具體如下所示:

1、外接電容過(guò)大,在電源模塊啟動(dòng)時(shí)向其充電較長(zhǎng)時(shí)間,難以啟動(dòng),需要選擇合適的容性負(fù)載;

2、容性負(fù)載過(guò)大時(shí)需先串聯(lián)一個(gè)合適的電感;

3、輸出負(fù)載過(guò)重時(shí)會(huì)造成啟動(dòng)時(shí)間延長(zhǎng),選擇合適負(fù)載;

4、換用功率更大的輸入電源。