氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結構， 一般實際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機械、化學穩(wěn)定性好，價格較低因而得以廣泛應用。氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應用于高溫超導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學穩(wěn)定性好、成本低的特點。

氧化鋯(YSZ)晶體

產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

晶體結構：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點: 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長方法：弧熔法。

氧化鋯(YSZ)單晶是目前發(fā)現(xiàn)的抗輻照能力zui強的絕緣體材料，在輕水堆中可用作“燃燒”多余钚的惰性基材以及儲存核廢物的基體而倍受關注。由于氧化鋯(YSZ)材料具有高硬度，高強度，高韌性，極高的耐磨性及耐化學腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能，氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機械、電子、光學、航空航天、生物、化學等等各種領域獲得廣泛的應用。

在高溫下 ，氧化鋯屬于立方螢石型結構，因為Zr4 直徑大于O2-離子直徑，所以可以認為，由Zr4 構成面心立方點陣，占據(jù)1/2的八面體空隙，O2-離子占據(jù)面心立方點陣所有四個四面體空隙。氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結構， 一般實際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機械、化學穩(wěn)定性好，價格較低因而得以廣泛應用。