編輯：DD

在金屬內(nèi)部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

肖特基二極管

      優(yōu)點：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復時間極短:        可達5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)

關于肖特基MBR系列

　　為什么國際通用常見的肖特基二極管都以"MBR"字頭命名？

　　因為最早是世界半導體公司-摩托羅拉半導體命名的產(chǎn)品型號

　　M:是以最早MOTOROLA的命名，取M

　　B:Bridge 橋；Barrier:勢壘

　　R:Rectifier,整流器 "MBR"意為整流器件

　　SCHOTTKY:肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二極管。

　　例如：MBR20100CT

　　M:MOTOROLA 縮寫M

　　B:Barrier1 縮寫B(tài)

　　R:Rectifier 縮寫R

　　20:電流20A

　　100:電壓100V

　　C:表示TO-220AB封裝，常指半塑封。

　　T:表示管裝

眾多客戶選擇ASEMI只因為它那顆真誠的“芯”

為什么眾多客戶都選擇ASEMI的MUR2020CT呢？曾經(jīng)訪問過幾位老客戶說，“我選擇相信ASEMI，是因為它的質(zhì)量穩(wěn)定，各方面參數(shù)都達標，即使長時間工作也不會發(fā)熱，而且服務特別好，特別貼心特別周到，售后有什么問題他們立馬派人過來幫忙處理?！边@是客戶對強元芯的信任，這份信任高于一切，所以我們有義務為這份信任添加一層保障，努力為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務。