離子束刻蝕

離子束刻蝕以離子束為刻蝕手段達(dá)到刻蝕目的的技術(shù)，其分辨率限制于粒子進(jìn)入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下，較以較快的直寫速度進(jìn)行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

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刻蝕過程

普通的刻蝕過程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過掩模對抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經(jīng)過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層，則選擇腐蝕以后，圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。

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刻蝕技術(shù)

由于曝光束不同，刻蝕技術(shù)可以分為光刻蝕（簡稱光刻）、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕，其中離子束刻蝕具有分辨率高和感光速度快的優(yōu)點，是正在開發(fā)中的新型技術(shù)。

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離子束刻蝕是利用具有一定能量的離子轟擊材料表面，使材料原子發(fā)生濺射，從而達(dá)到刻蝕目的.把Ar、Kr或Xe之類惰性氣體充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面撞擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理過程。