正壓法氦質(zhì)譜檢漏

采用正壓法檢漏時，需對被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封室充入高于一個大氣壓力的氦氣，當被檢產(chǎn)品表面有漏孔時，氦氣就會通孔漏孔進入被檢外表面的周圍大氣環(huán)境中，再采用吸槍的方式檢測被檢產(chǎn)品周圍大氣環(huán)境中的氦氣濃度增量，從而實現(xiàn)被檢產(chǎn)品泄漏測量。按照收集氦氣方式的不同，又可以將正壓法分為正壓吸槍法和正壓累積法。氦氣在在半導體中的檢漏作用為了防止半導體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質(zhì)而導致性能退化，就必須采用管殼來密封。其中正壓吸槍法采用檢漏儀吸槍對被檢產(chǎn)品外表面進行掃描探查，可以實現(xiàn)漏孔的; 正壓累積法采用有一定密閉功能的氦罩將被檢產(chǎn)品全部罩起來，采用檢漏儀吸槍測量一定時間段前后的氦罩內(nèi)氦氣濃度變化量，實現(xiàn)被檢產(chǎn)品總漏率的測量。

正壓法的優(yōu)點是不需要輔助的真空系統(tǒng)，可以，實現(xiàn)任何工作壓力下的檢測。

正壓法的缺點是檢測靈敏度較低，檢測結果不確定度大，受測量環(huán)境條件影響大。

正壓法的檢測標準主要有QJ3089-1999《氦質(zhì)譜正壓檢漏方法》、QJ2862-1996《壓力容器焊縫氦質(zhì)譜吸槍罩盒檢漏試驗方法》，主要應用于大容積高壓密閉容器產(chǎn)品的檢漏，如高壓氦氣瓶、艙門檢漏儀等。

為試漏區(qū)配備足夠的通風條件

檢漏氣體氦/ 氫如果泄露，就會像氣球一樣飛到試漏區(qū)的室頂，并逐漸漂滿整個試漏區(qū)?？v然所有連接件是完全密閉的，但在連接或拆卸的過程中難免會釋放少量的檢漏氣體。因此，為試漏區(qū)配備足夠的通風條件是非常重要的。其中真空噴吹法采用噴槍的方式向被檢產(chǎn)品外表面噴吹氦氣，可以實現(xiàn)漏孔的。由于兩種檢漏氣體均有向上運動的趨向，建議從底部送入新鮮空氣和從頂部排放氣體至室外。

氦氣在在半導體中的檢漏作用

為了防止半導體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質(zhì)而導致性能退化，就必須采用管殼來密封。但是在管殼的封接處或者引線接頭處往往會因為各種原因而產(chǎn)生一些肉眼難以發(fā)現(xiàn)的小洞，所以在元器件封裝之后，就需要采取某些方法來檢測這些小洞的存在與否。 氦氣檢漏就是采用氦氣來檢查電子元器件封裝管殼上的小漏洞。大漏孔的簡易測試方法是將試件抽空，在短時間內(nèi)觀察是否保持抽空壓強，如試件能保持抽空壓強，則表明它不存在任何大漏孔，可充注檢漏氣體。因為氦原子的尺寸很小，容易穿過小洞而進入到管殼內(nèi)部，所以這種檢測方法能夠檢測出尺寸很小的小洞（即能夠檢測出漏氣速率約為10?11～10?12cm3/sec的小洞），靈敏度可與性檢漏方法匹敵，但要比性檢漏方法簡便。

氦氣檢漏試驗的方法：首先把封裝好的元器件放入充滿氦氣的容器中，并加壓，讓氦氣通過小洞而進入管殼中；然后取出，并用壓縮空氣吹去管殼表面的殘留氦氣；接著采用質(zhì)譜儀來檢測管殼外表所漏出的氦氣。