KOAN 壓控晶振的電源電壓對 VCXO 壓控特性的影響

理想的 KOAN 壓控晶振，其振蕩頻率與變?nèi)荻O管的反向電壓之間的關(guān)系應(yīng)該是線性的。當(dāng)控制電壓變化時，此線性關(guān)系應(yīng)不被破壞，但若振蕩器設(shè)計不合理時，其壓控特性變得復(fù)雜起來而不再保持一種線性關(guān)系。為了改善晶振頻率穩(wěn)定度，需減小疊加到變?nèi)荻O管上的高頻電壓，穩(wěn)定疊加到變?nèi)荻O管偏壓上的高頻電壓，改進變?nèi)荻O管偏壓與頻率特性的線性和對稱性。

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KOAN 壓控晶振系列編號封裝尺寸解讀（CMOS 輸出）

? KV08/14：KV-KOAN*VCXO，DIP8/DIP14 直插（4p）CMOS 輸出，5V（4-50Mhz）

? KV32/50：KV-KOAN*VCXO，SMD3225/5032（4p/6p）CMOS 輸出，1.8V-3.3V（4-50Mhz/16-50Mhz@1.8V）

? KV32T：KV-KOAN*VCXO，32-SMD3225（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV50T：KV-KOAN*VCXO，50-SMD5032（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV508T：KV-VCXO，50-SMD5032（8p）（超低抖動）T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

? KV70：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）CMOS 輸出，3.3V（4-50Mhz）

? KV70T：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV708T：KV-VCXO，70-SMD7050（8p）（超低抖動，T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

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壓控振蕩器的性能指標(biāo)介紹

1.中心頻率

是指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，即振蕩器頻率的較大值和較小值的中間值，中心頻率的大小取決于振蕩器的結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)，而且還隨著工藝和溫度相應(yīng)改變;隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展和產(chǎn)品性能的調(diào)高，現(xiàn)如今CMOS壓控振蕩器的中心頻率能夠達到10GHz。

2.調(diào)諧范圍

是指調(diào)節(jié)輸出頻率的變化范圍，即振蕩器的較大調(diào)諧頻率和較小調(diào)諧頻率的差值壓控振蕩器要有足夠大的調(diào)諧范圍才能滿足輸出頻率達到所需要的值。