直流等離子體化學(xué)氣相沉積（DC-PCVD）

DC-PCVD是利用高壓直流負(fù)偏壓（-1～-5kV），使低壓反應(yīng)氣體發(fā)生輝光放電產(chǎn)生等離子體，等離子體在電場作用下轟擊工件，并在工件表面沉積成膜。

直流等離子體比較簡單，工件處于陰極電位，受其外形、大小的影響，使電場分布不均勻，在陰極四周壓降，電場強(qiáng)度，正由于有這一特點(diǎn)，所以化學(xué)反應(yīng)也集中在陰極工件表面，加強(qiáng)了沉積效率，避免了反應(yīng)物質(zhì)在器壁上的消耗。缺點(diǎn)是不導(dǎo)電的基體或薄膜不能應(yīng)用。由于陰極上電荷的積累會(huì)排斥進(jìn)一步的沉積，并會(huì)造成積累放電，破壞正常的反應(yīng)。

濺射是物理氣相沉積技術(shù)的另一種方式，有人要問了濺射工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？

濺射的過程是由離子轟擊靶材表面，使靶材材料被轟擊出來的技術(shù)。整個(gè)過程是在真空腔體中完成的。濺射開始時(shí)將氣充入真空腔體中形成低壓氣氛圍，再通過使用高電壓，產(chǎn)生輝光放電，加速離子到靶材表面。離子將靶材材料從表面轟擊（濺射）出來，在靶材前面的被涂層工件上沉積下來，這整個(gè)過程就好像是在打臺(tái)球。

有時(shí)將此方法用作預(yù)涂層，目的是提高基材的耐久性，減少摩擦并改善熱性能-這意味著人們可以在同一涂層中結(jié)合PVD和CVD層等沉積方法。

在數(shù)學(xué)建模和數(shù)值模擬方面也有大量研究有助于改善此過程，這可能是優(yōu)于其他過程的優(yōu)勢。這些研究對改善反應(yīng)堆的特性有很大的影響，從而導(dǎo)致未來的成本降低，以及對薄膜機(jī)械性能的改善。

由于磁控濺射技術(shù)的發(fā)展將集中在未來對這些特定反應(yīng)器的改進(jìn)上，因此這項(xiàng)工作已成為主要重點(diǎn)。

關(guān)于濺射工藝，在使用磁控濺射工藝的同時(shí)施加幾種材料的精細(xì)層。該真空鍍膜工藝的原材料采用靶材的形式。在濺射過程中，將磁控管放置在靶材附近。然后，在真空室中引入惰性氣體，該惰性氣體通過沿磁控管的方向在靶和基板之間施加高電壓而加速，從而從靶中釋放出原子尺寸的顆粒。這些粒子是由于氣體離子傳遞的動(dòng)能而投射出來的，這些離子已經(jīng)到達(dá)目標(biāo)并到達(dá)基板并形成固體薄膜。該技術(shù)可以將表面上先前存在的污染物從表面上清除掉，這是通過反轉(zhuǎn)基材和目標(biāo)之間的電壓極性