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光刻膠的分類
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硅片制造中,光刻膠的目的主要有兩個(gè):(1)將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中;(2)在后續(xù)工藝中,保護(hù)下面的材料(例如刻蝕或離子注入阻擋層)。
分類
光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理,可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對(duì)某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負(fù)性膠顯影工藝對(duì)比結(jié)果示意圖 [2] 。
光刻膠介紹
光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中,半導(dǎo)體光刻膠的技術(shù)壁壘較高。
從技術(shù)水平來(lái)看,在PCB領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)光刻膠具備了一定的技術(shù)和量產(chǎn)能力,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)主流廠商大批量供貨。
賽米萊德以誠(chéng)信為首 ,服務(wù)至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售光刻膠,公司擁有強(qiáng)大的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營(yíng)理念。想要了解更多信息,趕快撥打圖片上的熱線電話!
為什么現(xiàn)在還有人使用負(fù)性膠
劃分光刻膠的一個(gè)基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后,被浸入顯影溶液中。在顯影過(guò)程中,正性光刻膠曝過(guò)光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下,未曝光的區(qū)域保持不變。負(fù)性光刻膠正好相反,在顯影劑中未曝光的區(qū)域?qū)⑷芙猓毓獾膮^(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是較好的,因此在IC制造中的應(yīng)用更為普及,但MEMS系統(tǒng)中,由于加工要求相對(duì)較低,光刻膠需求量大,負(fù)性膠仍有應(yīng)用市場(chǎng)。
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