晶體諧振器與晶體振蕩器的區(qū)別

1，晶體振蕩器的厚度總是高于晶體諧振器。因?yàn)榫w振蕩器內(nèi)部直接置入起振芯片，無(wú)需外部元器件幫助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶體振蕩器可以依靠自身起振，因此在電子行業(yè)歸類為主動(dòng)元器件，而晶體諧振器需要依靠外部電容電阻起振，稱之為被動(dòng)元器件。

3，晶體振蕩器種類復(fù)雜繁多，可分為以下幾種：普通振蕩器（SPXO）；溫補(bǔ)振蕩器（TCXO）；壓控振蕩器（VCXO），壓控溫補(bǔ)振蕩器（VC-TCXO）；恒溫振蕩器（OCXO）。而晶體諧振器只有一種，就是自身。

4，晶體振蕩器的精度高于晶體諧振器，因此兩者論性能穩(wěn)定度，莫屬晶體振蕩器出眾。晶體振蕩器中的溫補(bǔ)振蕩器較高精度可達(dá)到0.5ppm，晶體諧振器較高精度只能做到5ppm，且為DIP封裝，SMD封裝較高精度僅僅只有10PPM。

5，無(wú)疑，晶體振蕩器的成本高于晶體諧振器。

其次，晶體與晶振弄混會(huì)導(dǎo)致哪些誤會(huì)。從上文的分析中我們可以得出結(jié)論，被動(dòng)與主動(dòng)的焊接電路是完全不同的，因晶體振蕩器無(wú)需外接電容，晶體諧振器需外接電容電阻，如若兩者混淆采購(gòu)，電路將無(wú)法正常起振。

晶體振蕩器分類

并聯(lián)型晶體振蕩器。三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路；C3為交流旁路電容，對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路；X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器，C1、C2、X1構(gòu)成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。

串聯(lián)型晶體振蕩器。該振蕩器采用了兩級(jí)放大電路，石英晶體X1除了構(gòu)成反饋電路外，還具有選頻功能，其選頻頻率f0=fs，電位器RP1用來(lái)調(diào)節(jié)反饋信號(hào)的幅度。

串聯(lián)型晶體振蕩器的類型與電路的振蕩過(guò)程

因?yàn)樾盘?hào)是反饋到VT1發(fā)射極，現(xiàn)假設(shè)VT1發(fā)射極電壓瞬時(shí)極性為“ ”，集電極電壓極性為“ ”（發(fā)射極與集電極是同相關(guān)系，當(dāng)發(fā)射極電壓上升時(shí)集電極電壓也上升），VT2的基極電壓極性為“ ”，發(fā)射極電壓極性也為“ ”，該極性的電壓通過(guò)X1反饋到VT1的發(fā)射極，反饋電壓極性與假設(shè)的電壓極性相同，故該反饋為正反饋。

接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號(hào)，石英晶體X1對(duì)其中的f0信號(hào)阻抗很小，f0信號(hào)經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號(hào)經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過(guò)X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進(jìn)行，VT2輸出的f0信號(hào)幅度越來(lái)越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來(lái)越小，當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時(shí)，輸出f0信號(hào)幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號(hào)。

如何區(qū)分晶體和晶振？

晶體通常為兩腳和四腳晶振，以2520晶振，3225晶振，5032晶振等一類晶振而言，它們都擁有兩腳或者四腳的封裝，晶振為四腳或者四腳以上的，這里可以肯定的一點(diǎn)，兩腳的一定為晶體。那當(dāng)遇到都是四腳的貼片晶振，如何區(qū)分晶體和晶振呢？如果晶體或者晶振在電路板上，我們只需觀察晶振的外部電路是否有其它元器件的連接，如若無(wú)，則為晶振（有源晶振）。如果用肉眼觀察，簡(jiǎn)單而有力的一點(diǎn)則是觀察晶振的厚度，一般的晶體厚度均在0.45mm左右，而由于晶振技術(shù)內(nèi)置起振芯片，因此晶振的厚度要比晶體高。