溫度對微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。氧化時間對鋁合金微弧氧化效果的影響1、隨著氧化時間的增加，氧化工業(yè)鋁型材厚度增加，但有極限氧化工業(yè)鋁型材厚度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源

影響微弧氧化的因素

1、微弧氧化時間的影響：微弧氧化時間一般控制在10～60min。氧化時間越長，膜的致密性越好，但其粗糙度也增加。

2、陰極材料：微弧氧化的陰極材料采用不溶性金屬材料。由于微弧氧化電解液多為堿性液，故陰極材料可采用碳鋼，不銹鋼或鎳。其方式可采用懸掛或以上述材料制作的電解槽作為陰極。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

微弧氧化技術(shù)的優(yōu)勢

       采用微弧氧化技術(shù)對鋁鎂鈦等輕金屬及其合金材料進行表面強化處理，微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強，絕緣性好，膜層與基底金屬結(jié)合力強，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化電解液電解液抗污染能力強和再生重復使用率高，因而對環(huán)境污染小，區(qū)別于傳統(tǒng)的電鍍非常環(huán)保，也符合我國可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的需要。微弧氧化，是在電解質(zhì)溶液中（一般是弱堿性溶液）施加高電壓（直流、交流或脈沖）在材料表面原位生長陶瓷氧化膜的過程，該過程是物理放電與電化學氧化、等離子體氧化協(xié)同作用的結(jié)果。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源、微弧氧化工藝

微弧氧化抹的特點

       微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強，絕緣性好，膜層與基底金屬結(jié)合力強，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化的合適放電區(qū)間較窄，要求對放電后的電參數(shù)控制比較好，大電流、高電壓對供電電源提出了高要求，由于對微弧氧化本質(zhì)認識限制，使得電源的設(shè)計及制造仍停留在經(jīng)驗摸索層面上，帶有很大的盲目性。電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源