光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來(lái)一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過(guò)曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過(guò)不斷縮短曝光波長(zhǎng)以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長(zhǎng)由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。光刻膠國(guó)內(nèi)的研發(fā)起步較晚光刻膠的研發(fā)，關(guān)鍵在于其成分復(fù)雜、工藝技術(shù)難以掌握。

目前，半導(dǎo)體市場(chǎng)上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場(chǎng)上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷。

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4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機(jī)上，經(jīng)與光刻版對(duì)準(zhǔn)后，進(jìn)行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長(zhǎng)在光刻膠的敏感波段；

對(duì)準(zhǔn)：指光刻板上與襯底的對(duì)版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。

曝光時(shí)間，由光源強(qiáng)度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應(yīng)影響，可在曝光后需進(jìn)行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）

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光刻膠穩(wěn)定性

化學(xué)穩(wěn)定性：在正常儲(chǔ)存和操作條件下，在密閉容器中室溫穩(wěn)定。

避免的條件: 火源、濕氣、過(guò)熱的環(huán)境。

不相容的其他材料: 強(qiáng)氧化劑。

光刻膠毒理資料

淡黃色液體，氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通過(guò)皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。

毒性數(shù)據(jù)

皮膚：可以通過(guò)皮膚吸收而引起全身性的癥狀，類似于吸入。長(zhǎng)時(shí)間或重復(fù)接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛發(fā)炎。

吸入：吸入時(shí)可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導(dǎo)致困倦和頭暈。

攝食：吞食有害。

延遲效應(yīng)：肝和損害，以及動(dòng)物實(shí)驗(yàn)中有報(bào)道血液和GU髓有影響。