離子束刻蝕

離子束刻蝕也稱為離子銑，是指當(dāng)定向高能離子向固體靶撞擊時(shí),能量從入射離子轉(zhuǎn)移到固體表面原子上，如果固體表面原子間結(jié)合能低于入射離子能量時(shí)，固體表面原子就會(huì)被移開(kāi)或從表面上被除掉。通常離子束刻蝕所用的離子來(lái)自惰性氣體。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)較小可能不會(huì)小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下，少的達(dá)到10nm，獲得較小線寬12nm的加工結(jié)果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應(yīng)較小，并能以較快的直寫(xiě)速度進(jìn)行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點(diǎn)是在計(jì)算機(jī)控制下的無(wú)掩膜注入，甚至無(wú)顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是，在離子束加工過(guò)程中，損傷問(wèn)題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

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刻蝕過(guò)程

普通的刻蝕過(guò)程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過(guò)掩模對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經(jīng)過(guò)顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對(duì)襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層，則選擇腐蝕以后，圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。

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刻蝕機(jī)

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刻蝕機(jī)是基于真空中的高頻激勵(lì)而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來(lái)從而獲得化學(xué)活性微粒與被刻蝕材料起化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進(jìn)行刻蝕的。同時(shí)為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。 　　

刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能電池片周邊的P—N結(jié)進(jìn)行刻蝕，使太陽(yáng)能電池片周邊呈開(kāi)路狀態(tài)。也可用于半導(dǎo)體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。