首先采用深反應(yīng)離子刻蝕制作微通道，然后沉積派瑞林涂層C在微通道上，同時(shí)派瑞林涂層沉積在純鐵片上，真空鍍膜涂料，在其上制作金電極，在200℃真空箱內(nèi)將派瑞林涂層鍵合，剝?nèi)ゼ冭F片以及采用特殊工藝釋放（Parylene）涂層微通道。通過控制（Parylene）涂層沉積的厚度，可以在相同的微通道上制作不同深寬比的派瑞林涂層微通道，同時(shí)也可以制作多層結(jié)構(gòu)微通道。用此方法制作的各種微通道(所有微通道的內(nèi)徑為80μm寬、50μm深、壁厚為10μm)。通過此方法，納米真空鍍膜，可以快速低成本地制作派瑞林涂層微通道，并通過釋放工藝可以獲得很好的派瑞林涂層微通道，同時(shí)可以重復(fù)使用硅模，普遍用于氣相色譜分析等微流體系統(tǒng)分析中。派瑞林涂層阻滯性佳，濕氣及氣體滲透性極低，具高屏障效果，連州真空鍍膜，抗酸堿性。

       考夫曼離子源是應(yīng)用較早的離子源。屬于柵格式離子源。首先由陰極在離子源內(nèi)腔產(chǎn)生等離子體，讓后由兩層或三層陽極柵格將離子從等離子腔體中抽取出來。這種離子源產(chǎn)生的離子方向性強(qiáng)，離子能量帶寬集中，可廣泛應(yīng)用于真空鍍膜中。缺點(diǎn)是陰極（往往是鎢絲）在反應(yīng)氣體中很快就燒掉了，另外就是離子流量有極限，對需要大離子流量的用戶可能不適和。

       霍爾離子源是陽極在一個(gè)強(qiáng)軸向磁場的協(xié)作下將工藝氣體等離子化。這個(gè)軸向磁場的強(qiáng)不平衡性將氣體離子分離并形成離子束。由于軸向磁場的作用太強(qiáng)，霍爾離子源離子束需要補(bǔ)充電子以中和離子流。常見的中和源就是鎢絲（陰極）。

派拉綸（Parylene）涂層工藝是使用化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝在真空下沉積的。派拉綸（Parylene）的（CVD）工藝分為三個(gè)步驟（升華，熱解，沉積）。首先，將二聚體（具有兩個(gè)重復(fù)單元的前體）升華。下一步，在高于＞ 500°C的溫度下通過熱解將二聚體裂解為兩種單體。然后，單體在基材表面（以及腔室表面）上聚合，五金真空鍍膜，形成線性聚合物鏈。后一步在室溫下進(jìn)行，得到派拉綸（Parylene）保形涂層。通過的真空鍍膜機(jī)，進(jìn)行的鍍膜加工生產(chǎn)。

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