1）沉積反應如在氣固界面上發(fā)生則沉積物將按照原有固態(tài)基底（又稱襯底）的形狀包覆一層薄膜。

2）涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而改變從而獲得梯度沉積物或得到混合鍍層。

3）采用某種基底材料，沉積物達到一定厚度以后又容易與基底分離，這樣就可以得到各種特定形狀的游離沉積物器具。

4）在CVD技術(shù)中也可以沉積生成晶體或細粉狀物質(zhì)，高溫納米涂層，或者使沉積反應發(fā)生在氣相中而不是在基底表面上，這樣得到的無機合成物質(zhì)可以是很細的粉末，甚至是納米尺度的微粒稱為納米超細粉末。

5）CVD工藝是在較低壓力和溫度下進行的，通過派瑞林鍍膜技術(shù)可增強材料斷裂強度和抗震性能是在較低壓力和溫度下進行的。

       考夫曼離子源是應用較早的離子源。屬于柵格式離子源。首先由陰極在離子源內(nèi)腔產(chǎn)生等離子體，讓后由兩層或三層陽極柵格將離子從等離子腔體中抽取出來。這種離子源產(chǎn)生的離子方向性強，離子能量帶寬集中，可廣泛應用于真空鍍膜中。缺點是陰極（往往是鎢絲）在反應氣體中很快就燒掉了，另外就是離子流量有極限，對需要大離子流量的用戶可能不適和。

       霍爾離子源是陽極在一個強軸向磁場的協(xié)作下將工藝氣體等離子化。這個軸向磁場的強不平衡性將氣體離子分離并形成離子束。由于軸向磁場的作用太強，霍爾離子源離子束需要補充電子以中和離子流。常見的中和源就是鎢絲（陰極）。

       PVD是物理氣相沉積的簡稱，河源納米涂層，是指在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應產(chǎn)物沉積在工件上真空鍍膜。利用物理過程實現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移，在工件表面形成具有特殊性能的金屬或化合物涂層，表面納米涂層，其特殊性能包括強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性、以及絕緣等。涂層的物質(zhì)源是固態(tài)物質(zhì)，利用氣體放電或加熱的方式使靶材蒸發(fā)或者電離，經(jīng)過“蒸發(fā)或者濺射”后，在電場的作用下，在工件表面生成與基材性能不同的固態(tài)物質(zhì)涂層。

       在日常的操作中，有些用戶由于其操作不當導致鍍膜效果欠佳的問題，納米涂層公司，在PVD真空鍍膜過程中，鍍膜機腔體內(nèi)的壓力波動將導致鍍膜不均勻以及重復性欠佳。質(zhì)量流量控制器控制反應氣體的同時，采用壓力控制器控制腔體內(nèi)惰性氣體的壓力，從而提升終等離子氣相沉積(PVD)的結(jié)果。

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