這對器件幾乎沒有任何影響，因此可以用純金、純銀作為溶劑，分別在400℃ ，845℃左右進(jìn)行低溫外延生長.不過太高的溶解度會引起淀積速率不易控制和熔體內(nèi)自發(fā)成核等問題 [1]  .硅LPE系統(tǒng)：LPE技術(shù)發(fā)展到現(xiàn)在，其廣泛采用的系統(tǒng)是改進(jìn)的浸漬系統(tǒng)和滑動舟系統(tǒng)，近期報道一種新穎的旋轉(zhuǎn)坩堝系統(tǒng)(離心系統(tǒng))也值得注意 [1]  .蘇州科魯斯特測控科技有限公司蘇州科魯斯特測控科技有限公司




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與其他外延方法相比；它具有如下的優(yōu)點：1）生長設(shè)備比較簡單，二手1260怎么樣，；2）有較高的生長速率；3）摻雜劑選擇范圍廣；4）晶體完整性好，外延層位錯密度較襯底低；5）晶體純度高，生長系統(tǒng)中沒有和強(qiáng)腐蝕性的原料及產(chǎn)物，操作安全、簡便等。LPE的不足在于，當(dāng)外延層與襯底晶格常數(shù)差大于1%時，不能進(jìn)行很好的生長。其次，由于分凝系數(shù)的不同，除生長很薄的外延層外，在生長方向上控制摻雜和多元化合物組合均勻性遇到困難。再者LPE的外延層表面一般不如氣相外延好。




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