電源模塊的優(yōu)點(diǎn)

1、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單

目前市場(chǎng)上種類繁多，有AC-DC、DC-DC、高壓等模塊，只需選擇適合的一款電源模塊，配上少量分立元件即可使用。模塊內(nèi)部高集成電路，使設(shè)計(jì)更加緊湊，供應(yīng)商還可以提供的技術(shù)支持和系統(tǒng)解決方案。與分立式較大的分別是廠商可以提供模型、外圍電路、模塊各參數(shù)曲線等重要數(shù)據(jù)。

2、節(jié)省成本和時(shí)間

電源模塊有多種輸入輸出選擇，并且可以重復(fù)加或交叉加，構(gòu)成積木式組合電源，從而實(shí)現(xiàn)多路輸入輸出。相比分立式，調(diào)試更加簡(jiǎn)單安全，使設(shè)計(jì)應(yīng)用大大簡(jiǎn)化，縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。

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電源模塊輸出紋波噪聲過(guò)大原因

輸出紋波噪聲過(guò)大的原因：

（1）電源模塊與主電路噪聲敏感元件距離過(guò)近

（2）主電路噪聲敏感元件的電源輸入端處未接去耦電容

（3）多路系統(tǒng)中各單路輸出的電源模塊之間產(chǎn)生差頻干擾

（4）地線處理不合理

解決方法：可以通過(guò)將模塊與噪聲器件隔離或在主電路使用去耦電容等方案改善。如：將電源模塊盡可能遠(yuǎn)離主電路噪聲敏感元件或模塊與主電路噪聲敏感元件進(jìn)行隔離，主電路噪聲敏感元件(如：A/D、D/A或MCU等)的電源輸入端處接0.1μF去耦電容，使用一個(gè)多路輸出的電源模塊代替多個(gè)單路輸出模塊消除差頻干擾，采用遠(yuǎn)端一點(diǎn)接地、減小地線環(huán)路面積。

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絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar tansistor，IGBT）是一種復(fù)合開(kāi)關(guān)器件，關(guān)斷時(shí)的電流拖 尾會(huì)導(dǎo)致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過(guò)它的電流降到零，則可以顯著地降低開(kāi)關(guān)損耗，因此IGBT宜采用零電流（ZCS）關(guān)斷方式。IGBT在 零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，但是MOSFET在零電流條件下開(kāi)通時(shí)，并不能減小容性開(kāi)通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器（ResonantConverter ，RC）、準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器（Qunsi-Tesonant Converter，QRC）、多諧振轉(zhuǎn)換器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零電壓開(kāi)關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器（ZVS PWM Converter）、零電流開(kāi)關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器（ZCS PWM Converter）、零電壓轉(zhuǎn)換（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換（Zero- Voltage-Transition，AGV定制電源非標(biāo)定制，ZVT）PWM轉(zhuǎn)換器等，均屬于軟開(kāi)關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開(kāi)關(guān)器件和零開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展，促使了高頻開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展。

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