刻蝕工藝順序位于鍍膜和光刻之后。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，刻蝕機(jī)的作用就好像是雕刻中的刻刀一樣，利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理等刻蝕方法，將晶圓表面附著的不必要的材質(zhì)進(jìn)行去除，鹽城晶圓，留下的就是晶圓所需要的材質(zhì)和附著在其上的光刻膠。然后再多次重復(fù)上述步驟，就可得到構(gòu)造復(fù)雜的集成電路。

化學(xué)清洗槽（也叫酸槽/化學(xué)槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質(zhì)，去離子，去原子，后還有DI清洗。IPA是，晶圓清洗機(jī)，就是工業(yè)酒精，是用來(lái)clean機(jī)臺(tái)或parts的，晶圓清洗臺(tái)，是為了減少partical的。

芯片線寬的縮小對(duì)刻蝕本身的準(zhǔn)確度以及重復(fù)性有了更為嚴(yán)苛的要求。多次刻蝕要求每一個(gè)步驟的準(zhǔn)確度足夠高，才能使得整體生產(chǎn)的良率保持在可接受范圍內(nèi)，因此除了對(duì)于刻蝕整體步驟數(shù)有明顯增加外，還對(duì)每一步的刻蝕質(zhì)量有了更高的要求。端制程占比持續(xù)提升的大背景下，晶圓廠對(duì)于刻蝕本身的資本開(kāi)支也在大幅提升，在整體制造工藝未發(fā)生較大變化的情況下，晶圓代工廠中刻蝕設(shè)備的占比將持續(xù)提升。

SSEC單片處理技術(shù)使得晶圓在濕法處理時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì)另一面的保護(hù)隔離了液體、水汽、物理的接觸。應(yīng)用范圍包括單面濕法刻蝕、背部剝離、斜面清洗、晶圓減薄。對(duì)晶圓背部的處理取決于具體的應(yīng)用。對(duì)于背部的清洗，將裝有邊緣夾具。對(duì)于晶圓減薄的應(yīng)用，將使用真空吸附進(jìn)行晶圓固定。

學(xué)清洗槽（也叫酸槽/化學(xué)槽），主要有HF，晶圓腐蝕，H2SO4，H2O2，HCL等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質(zhì)，去離子，去原子，后還有DI清洗。IPA是，就是工業(yè)酒精，是用來(lái)clean機(jī)臺(tái)或parts的，是為了減少partical的。

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