3，  醇鋁水解法即為異丙醇鋁法。宣城有一家是用的這種方法，目前日本和美國也主要采取這種工藝生產(chǎn)高純度氧化鋁，產(chǎn)品純度高達(dá)到5個(gè)9，主要用于LED藍(lán)寶石長晶行業(yè)。這種工藝比較復(fù)雜，國內(nèi)能掌握此技術(shù)的很少。和直接水解法相比，這種工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是：

1）高純鋁和醇類反應(yīng)充分，不需要加工成粉末，避免加工過程中帶入Fe,Ti等雜質(zhì)引入。

2）可以再次提純，反應(yīng)得到的異丙醇鋁可以在230-250度下8級塔板精餾，以氣態(tài)的形式收集高純異丙醇鋁，鐵、鈦、鎳、鋯、鉛、鎂等金屬雜質(zhì)不會(huì)氣化，留在釜底。 冷凝下來的高純異丙醇鋁還可以再次用陶瓷膜分離，游離金屬雜質(zhì)鉀，鈉，鋅等都被除去。

3）粉體在凈化室內(nèi)5n氮?dú)夥諊蚂褵郎p少了污染。

4）塊體采用1000噸預(yù)壓，再等靜壓，密度可以達(dá)到3.7。

按硅片直徑劃分：　　

硅片直徑主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），目前已發(fā)展到18英寸（450mm）等規(guī)格。直徑越大，在一個(gè)硅片上經(jīng)一次工藝循環(huán)可制作的集成電路芯片數(shù)就越多，每個(gè)芯片的成本也就越低。因此，更大直徑硅片是硅片制各技術(shù)的發(fā)展方向。但硅片尺寸越大，對微電子工藝設(shè)各、材料和技術(shù)的要求也就越高。　　

按單晶生長方法劃分：　　

直拉法制各的單晶硅，稱為CZ硅（片）;磁控直拉法制各的單晶硅，稱為MCZ硅（片）;懸浮區(qū)熔法制各的單晶硅，稱為FZ硅（片）;用外延法在單晶硅或其他單晶襯底上生長硅外延層，稱為外延（硅片）。

隨著近年來國內(nèi)光伏市場的擴(kuò)大和分布式光伏發(fā)電系統(tǒng)的發(fā)展，電站設(shè)計(jì)人員對各類光伏組件產(chǎn)品性能也提出更高要求。目前，對于光伏組件的電氣性能測試主要依賴實(shí)驗(yàn)室內(nèi)的太陽光模擬器，檢測其輸出特性曲線，該方法便于控制輻照度及溫度等環(huán)境參數(shù)。但光伏組件實(shí)際工作于戶外復(fù)雜環(huán)境，其輸出功率易受到灰塵、沙礫、雨雪等因素影響，輸出特性也可能因建筑、樹蔭等周期性陰影改變，因此光伏組件實(shí)際輸出功率一般遠(yuǎn)低于實(shí)驗(yàn)室內(nèi)理想環(huán)境下的輸出功率。目前，國內(nèi)外對光伏陣列的IV特性測量已提出了部分方法，主要是采用動(dòng)態(tài)電容充電方法，現(xiàn)場的同步測量光伏陣列IV特性。該方法測量速度較快，對控制器的采樣速率要求也較高。此外，也有基于可變電子負(fù)載的現(xiàn)場測量方法，它對光伏陣列IV特性曲線上大功率點(diǎn)附近測量點(diǎn)較多，但對短路和開路點(diǎn)附近測量點(diǎn)數(shù)量較少，當(dāng)光伏陣列處于輕微失配或遮蔽等工況下，該方法難以實(shí)現(xiàn)對此現(xiàn)象的測量。針對如何更細(xì)致的反應(yīng)光伏組件戶外輸出性能，提出了戶外光伏組件測試平臺，它使光伏組件長期工作于戶外環(huán)境下，實(shí)時(shí)監(jiān)測其輸出特性，并積累測量數(shù)據(jù)，以評估組件長期工作于戶外環(huán)境下的輸出性能，使電站設(shè)計(jì)人員針對具體環(huán)境，選用更合理的光伏組件搭建光伏系統(tǒng)。也為組件生產(chǎn)商和科研實(shí)驗(yàn)工作提供了更好的保障與技術(shù)支持。