RCA清洗法:自從20世紀(jì)70年代RCA清洗法問世之后，幾十年來被廣泛采用。它的基本步驟初期只包括堿性氧化和酸性氧化兩步，但目前使用的RCA清洗大多包括四步，即先用含硫酸的酸性進(jìn)行酸性氧化清洗，再用含胺的弱堿性進(jìn)行堿清洗，接著用稀的qing氟酸溶液進(jìn)行清洗，然后用含鹽酸的酸性進(jìn)行酸性氧化清洗，在每次清洗中間都要用超純水（DI水）進(jìn)行漂洗，然后再用低沸點(diǎn)進(jìn)行干燥。

清洗:

      從溶解的相似相溶規(guī)律出發(fā)，一般采用-乙醇清洗，或采用乙醇yi醚混液和異bing醇代替乙醇。采用乙醇-yi醚是因?yàn)檫@種混合液的揮發(fā)性強(qiáng)，半導(dǎo)體酸洗設(shè)備，采用異bing醇是因?yàn)楫恇ing醇的脫脂能力強(qiáng)。為降低這些本身在MCP表面的殘留，在每次使用后都要用超純水進(jìn)行漂洗。在不破壞MCP表面特征的情況下可結(jié)合攪拌、鼓泡、溢流、噴淋、超聲、蒸汽脫脂等方法一起使用。

　　清洗設(shè)備在主要清洗物質(zhì)依制程不同而清除對(duì)象而有所差異，Wet Station主要清除物質(zhì)為污染微粒、Organic與 metalIon、NativeOxide等。而單晶圓設(shè)備則對(duì)污染微粒與金屬有較佳的去除效果。然而，隨著半導(dǎo)體廠著重于縮短時(shí)間、降低成本、更好的制程表現(xiàn)、低污染與低耗能等訴求，目前各大設(shè)備廠也不斷以單芯片清洗設(shè)備為主要研發(fā)機(jī)種。

清洗方式

工業(yè)清洗一般可按照以下三種方式進(jìn)行分類：

1．按照清洗精度的要求不同，泰州半導(dǎo)體，主要分為一般工業(yè)清洗，精密工業(yè)清洗和超精密工業(yè)清洗三大類。

一般工業(yè)清洗包括車輛，輪船、飛機(jī)表面的清洗，一般只能去掉比較粗大的污垢；

精密工業(yè)清洗包括各種產(chǎn)品加工生產(chǎn)過程中的清洗，各種材料及設(shè)備表面的清洗等，半導(dǎo)體清洗臺(tái)，以能夠去除微小的污垢粒子為特點(diǎn)；

超精密清洗包括精密工業(yè)生產(chǎn)過程中對(duì)機(jī)械零件、電子元件，光學(xué)部件等的超精密清洗，以清除極微小污垢顆粒為目的。

2．根據(jù)清洗方法的不同，也可以分為物理清洗和化學(xué)清洗：利用力學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)，電學(xué)、熱學(xué)的原理，半導(dǎo)體酸洗機(jī)，依靠外來能量的作用，如機(jī)械摩擦、超聲波、負(fù)壓、高壓．)中擊。紫外線、蒸汽等去除物體表面污垢的方法叫物理清洗；依靠化學(xué)反應(yīng)的作用，利用化學(xué)藥品或其它溶劑清除物體表面污垢的方法叫化學(xué)清洗．如用各種無機(jī)或有機(jī)酸去除物體表面的銹跡、水垢，用氧化劑去除物體表面的污漬，用殺菌劑。消毒劑殺滅微生物并去除霉斑等．物理清洗和化學(xué)清洗都存在著各自的優(yōu)缺點(diǎn)，又具有很好的互補(bǔ)性。在實(shí)際應(yīng)用過程中，通常都是把兩者結(jié)合起來使用，以獲得更好的清洗效果。