用于升壓級的開關(guān)和二極管

在舊有NPT平面技術(shù)?的基礎(chǔ)上開發(fā)了一種可以提高高開關(guān)頻率的升壓電路效率的器件FGL40N120AND，具有43uJ/A的EOFF? ，比較采用更先進(jìn)技術(shù)器件的EOFF為80uJ/A，但要獲得這種性能卻非常困難。FGL40N120AND器件的缺點在于飽和壓降VCE(SAT) (3.0V 相對于125oC的 2.1V) 較高，不過它在高升壓開關(guān)頻率下開關(guān)損耗很低的優(yōu)點已足以彌補(bǔ)這一切。該器件還集成了反并聯(lián)二極管。在正常升壓工作下，該二極管不會導(dǎo)通。然而，在啟動期間或瞬變情況下，拆卸太陽能電池板回收公司，升壓電路有可能被驅(qū)使進(jìn)入工作模式，這時該反并聯(lián)二極管就會導(dǎo)通。由于IGBT本身沒有固有的體二極管，故需要這種共封裝的二極管來保證可靠的工作。對升壓二極管，庫存太陽能電池板回收價格，需要Stealth? 或碳硅二極管這樣的快速恢復(fù)二極管。碳硅二極管具有很低的正向電壓和損耗。不過目前它們的價格都很高昂。在選擇升壓二極管時，必須考慮到反向恢復(fù)電流 (或碳硅二極管的結(jié)電容) 對升壓開關(guān)的影響，因為這會導(dǎo)致額外的損耗。在這里，新推出的Stealth II 二極管 FFP08S60S可以提供更高的性能。當(dāng)VDD=390V、 ID=8A、di/dt=200A/us，怒江太陽能電池板，且外殼溫度為100oC時，計算得出的開關(guān)損耗低于FFP08S60S的參數(shù)205mJ。而采用ISL9R860P2 Stealth 二極管，這個值則達(dá)225mJ。故此舉也提高了逆變器在高開關(guān)頻率下的效率。

7、玻璃的透水率幾乎為零，不需要考慮水汽進(jìn)入組件誘發(fā)EVA膠膜水解的問題。傳統(tǒng)晶體硅太陽能組件的背板有一定的透水率，透過背板的水汽使劣質(zhì)的EVA樹脂很快分解析出醋酸，而導(dǎo)致組件內(nèi)部發(fā)生電化學(xué)腐蝕，增加了出現(xiàn)PID衰減和蝸牛紋發(fā)生的概率。其尤其適用于海邊、水邊和較高濕度地區(qū)的光伏電站。

8、玻璃是無機(jī)物二氧化硅，與隨處可見的沙子屬同種物質(zhì)，耐候性、耐腐蝕性超過任何一種已知的塑料。紫外線、氧氣和水分導(dǎo)致背板逐漸降解，表面發(fā)生粉化和自身斷裂。使用玻璃則一勞永逸的解決了組件的耐候問題，也隨便結(jié)束了PVF和PVDF哪個更耐候的，更不用提耐候性、阻水性差的PET背板、涂覆型背板和其它低端背板。該特點使雙玻組件適用于較多酸雨或者鹽霧大的地區(qū)的光伏電站。

9、雙玻組件不需要鋁框，除非在玻璃表面有大量露珠的情況外。沒有鋁框使導(dǎo)致PID發(fā)生的電場無法建立，其大大降低了發(fā)生PID衰減的可能性。

用于橋接和開關(guān)和二極管

另一個值得探討的選擇是采用FGH30N60LSD器件。它是一顆飽和電壓VCE(SAT) 只有1.1V的30A/600V IGBT。其關(guān)斷損耗EOFF非常高，達(dá)10mJ ，故只適合于低頻轉(zhuǎn)換。一個50毫歐的MOSFET在工作溫度下導(dǎo)通阻抗RDS(ON) 為100毫歐。因此在11A時，滯銷太陽能電池板回收價格，具有和IGBT的VCE(SAT) 相同的VDS。由于這種IGBT基于較舊的擊穿技術(shù)，VCE(SAT) 隨溫度的變化不大。因此，這種IGBT可降低輸出橋中的總體損耗，從而提高逆變器的總體效率。FGH30N60LSD IGBT在每半周期從一種功率轉(zhuǎn)換技術(shù)切換到另一種拓?fù)涞淖龇ㄒ彩钟杏谩GBT在這里被用作拓?fù)溟_關(guān)。在較快速的轉(zhuǎn)換時則使用常規(guī)及快速恢復(fù)超結(jié)器件。對于1200V的拓?fù)浼叭珮蚪Y(jié)構(gòu)，前面提到的FGL40N120AND是非常適合于新型高頻太陽能逆變器的開關(guān)。當(dāng)技術(shù)需要二極管時，Stealth II、Hyperfast? II 二極管及碳硅二極管是很好的解決方案。逆變器把直流電轉(zhuǎn)換為交流電的效率，目前，歐洲逆變器效率普遍較高，可達(dá)到97.2%。