碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的根基是芯片，制做芯片的關(guān)鍵原材料依照歷史背景分成：一代半導(dǎo)體材料（絕大多數(shù)為現(xiàn)階段普遍應(yīng)用的高純硅），二代化合物半導(dǎo)體材料（、磷化銦），第三代化合物半導(dǎo)體材料（碳化硅、滲氮）。碳化硅因其優(yōu)異的工藝性能：高帶隙（相匹配高穿透靜電場和高功率）、高導(dǎo)電率、高導(dǎo)熱系數(shù)，將是將來較被普遍應(yīng)用的制做半導(dǎo)體材料芯片的基本原材料。

生產(chǎn)黑色碳化硅時(shí)所得到的，在其物相的組成上也是不均勻的。和無定形物緊接著的層，.由類似碳素材料的碳化硅(帶有石墨夾雜)和碳化硅的細(xì)結(jié)晶集合體所構(gòu)成，偶而能見到?jīng)]有完全硅化的碳素材料顆粒。和氧碳化硅區(qū)緊接著的層，同樣也由碳化硅的假晶和細(xì)結(jié)晶集合體所構(gòu)成，但是它們，照例是混雜在折光率高的(N=1.53～1.62)泡沫狀玻璃內(nèi)的。這一點(diǎn)證明了，福州閑置碳化硅制品，在玻璃內(nèi)除了氧化硅之外還有大量的氧化鋁和氧化鈣。在玻璃中可以看到生成的鈣斜長石CaO.AL2O3.2SiO2和假硅灰石CaO.Si02?？梢悦黠@地看到破化硅被玻璃分解之后所形成的氣相，這種氣相被夾在玻璃的中間，閑置碳化硅制品廠家，而使它具有多孔的構(gòu)造。生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)得到的氧碳化硅，閑置碳化硅制品用途，具有豐富的物相粗成。它基本上由方英石的粒狀集合體、碳化硅的細(xì)結(jié)晶集合體和假晶(甚至有類似木炭的假晶)以及提到完全硅化的煤和焦炭顆粒所構(gòu)成。上面提到的各種物相，往往被包圍在玻璃內(nèi)或被膠結(jié)成復(fù)雜的集合體。在玻璃中還能看到球形金屬夾雜物。

碳化硅制品的導(dǎo)電性具有實(shí)際的意義，因?yàn)樵谠S多情況下要求碳化硅具有電氣絕緣性能。通常碳化硅具有較高的電阻，其數(shù)值隨著溫度升高而有所減少。液相的生成對上述情況有顯著的促進(jìn)作用，由于電離作用，液相的特點(diǎn)是導(dǎo)電性高。尤其當(dāng)溫度高于1000℃時(shí)，導(dǎo)電性開始顯著地提高，除了鉻質(zhì)及碳化硅質(zhì)制品于1000-1500℃時(shí)其電阻低以外，大多數(shù)工業(yè)耐火材料于1000℃時(shí)的電阻為10000-100000歐姆·厘米。用普通陶瓷法制造的碳化硅質(zhì)耐火材料中，電限小的是以二氧化硅為結(jié)合劑的制品。

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