硅晶片的化學(xué)蝕刻是通過將晶片浸入蝕刻劑中來完成的，該蝕刻劑傳統(tǒng)上是稀釋劑或苛性堿溶液的酸性混合物。報道了苛性結(jié)晶學(xué)蝕刻的各種研究.然而，本文只關(guān)注基于酸的蝕刻的傳輸和動力學(xué)效應(yīng)。實(shí)際的反應(yīng)機(jī)理相當(dāng)復(fù)雜，涉及許多基本反應(yīng)。氫和不同的氮氧化物會產(chǎn)生。已經(jīng)提出了許多不同條件下硅片溶解的速率方程。

化學(xué)清洗槽（也叫酸槽/化學(xué)槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質(zhì)，去離子，亳州顯影，去原子，后還有DI清洗。IPA是，就是工業(yè)酒精，是用來clean機(jī)臺或parts的，是為了減少partical的。

刻蝕工藝是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵步驟，對于器件的電學(xué)性能十分重要。其利用化 學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，顯影腐蝕機(jī)，目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地 掩模圖形。如果刻蝕過程中出現(xiàn)失誤，將造成難以恢復(fù)的硅片報廢，因此必須進(jìn)行嚴(yán)格 的工藝流程控制。

化學(xué)清洗槽（也叫酸槽/化學(xué)槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質(zhì)，去離子，去原子，后還有DI清洗。IPA是，就是工業(yè)酒精，顯影清洗，是用來clean機(jī)臺或parts的，是為了減少partical的。

刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備的中堅(jiān)力量，有望先完成國產(chǎn)替代。半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造和封測流程，是半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)。隨著半導(dǎo)體制程的微縮和結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的種類和技術(shù)難度遞增。從市場來看，刻蝕機(jī)尤其是介質(zhì)刻蝕機(jī)，是我國比較具優(yōu)勢的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，也是國產(chǎn)替代占比較高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一。

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