芯片的背部減薄制程

磊晶之后的藍(lán)寶石基板就成為了外延片，外延片在經(jīng)過(guò)蝕刻、蒸鍍、電極制作、保護(hù)層制作等一系列復(fù)雜的半導(dǎo)體制程之后，還需要切割成一粒粒的芯片，根據(jù)芯片的大小，一片2英寸的外延片可以切割成為數(shù)千至上萬(wàn)個(gè)CHIP。前文講到此時(shí)外延片的厚度在430um附近，由于藍(lán)寶石的硬度以及脆性，普通切割工藝難以對(duì)其進(jìn)行加工。目前普遍的工藝是將外延片從430um減薄至100um附近，然后再使用鐳射進(jìn)行切割。

按層數(shù)分類(lèi)編輯 播報(bào)根據(jù)電路層數(shù)分類(lèi)：分為單面板、雙面板和多層板。常見(jiàn)的多層板一般為4層板或6層板，復(fù)雜的多層板可達(dá)幾十層。PCB板有以下三種主要的劃分類(lèi)型： 單面板單面板單面板（Single-Sided Boards） 在基本的PCB上，零件集中在其中一面，導(dǎo)線則集中在另一面上（有貼片元件時(shí)和導(dǎo)線為同一面，插件器件在另一面）。因?yàn)閷?dǎo)線只出現(xiàn)在其中一面，所以這種PCB叫作單面板（Single-sided）。因?yàn)閱蚊姘逶谠O(shè)計(jì)線路上有許多嚴(yán)格的限制（因?yàn)橹挥幸幻?，布線間不能交叉而必須繞獨(dú)自的路徑），所以只有早期的電路才使用這類(lèi)的板子。

測(cè)試流程制定

如前文所述，單次測(cè)量光伏組件IV特性曲線，需同時(shí)測(cè)量其工作條件下的太陽(yáng)輻照度，組件溫度及環(huán)境溫度。參照IEC 60904-1中相關(guān)內(nèi)容，制定了光伏組件戶外測(cè)試流程，步驟如下：

1）同步測(cè)量環(huán)境中太陽(yáng)輻照度，組件溫度及環(huán)境氣溫，并記錄數(shù)據(jù)；

2）測(cè)量光伏組件開(kāi)路電壓VOC及短路電流ISC,計(jì)算近似大功率點(diǎn)處電壓Vapp =0.8VOC,計(jì)算恒壓模式下測(cè)量點(diǎn)數(shù)NCV；

3）計(jì)算電壓變化步長(zhǎng)ΔV =Vapp/NCV,設(shè)置可編程電子負(fù)載為恒壓工作模式，以步長(zhǎng)ΔV 依次測(cè)量IV特性曲線上各點(diǎn)；

4）當(dāng)NCV個(gè)點(diǎn)測(cè)量完成，此時(shí)光伏組件工作電壓為Vapp ,測(cè)量相應(yīng)的工作電流Iapp ,由Iapp 計(jì)算恒流模式下測(cè)量點(diǎn)數(shù)NCC；

5）計(jì)算電流變化步長(zhǎng)ΔI=Iapp/NCC,設(shè)置可編程電子負(fù)載為恒流工作模式，以步長(zhǎng)ΔI 從當(dāng)前工作點(diǎn)繼續(xù)掃描IV特性曲線，直至剩余點(diǎn)測(cè)量完成；