描述

CS1N60A1H，硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET是通過自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)獲得的這減少了傳導(dǎo)損耗，改善了開關(guān)性能并增強(qiáng)雪崩能量。晶體管可用于系統(tǒng)的各種電源開關(guān)電路小型化和更高的效率。包裝形式為TO-92，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

特征

快速切換

低導(dǎo)通電阻（Rdson≤15?)

低柵極電荷（典型數(shù)據(jù)：4nC）

低反向轉(zhuǎn)移電容（典型值：2.6pF）

100%單脈沖雪崩能量測試

應(yīng)用

適配器和充電器的電源開關(guān)電路。