清洗流程的操作規(guī)范：

(1) 用(ACE)、異bing醇(IPA)、去離子(DI)水依次進(jìn)行超聲清洗超聲設(shè)備內(nèi)槽、燒杯、花籃、卡塞及樣品盒；

(2) 在二個(gè)超聲設(shè)備的內(nèi)槽分布倒入 2000 - 4000 ml的和異bing醇溶液，具體的溶液體積由內(nèi)槽的容積來(lái)定，三明顯影，保證溶液水平面在花籃上平面以上；在一個(gè)燒杯中倒入2000 ml溶液；記錄溶液更換日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求規(guī)劃溶液的清洗次數(shù)；

(3) 將晶片用花籃盛放并將其置于內(nèi)槽中，設(shè)置超聲的溫度60°C，并計(jì)時(shí)超聲清洗晶片10分鐘，顯影清洗機(jī)，用蓋將內(nèi)槽封閉，并記錄溶液累計(jì)使用片數(shù)；

(4) 將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；

(5) 將花籃置于異bing醇中，設(shè)置溶液溫度60°C，記時(shí)超聲清洗晶片10分鐘，用蓋將內(nèi)槽封閉，記錄溶液累計(jì)使用片數(shù)；  (5) 將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；

(6) 將放有晶片的花籃置于已配制好的硫酸(共1200 ml，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，計(jì)時(shí)10分鐘，并記錄溶液使用累計(jì)片數(shù)；保持溶液的溫度為90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入溶液；

(7) 將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；

(8) 將晶片從花籃中取出，放置到te制的卡塞中，將放有晶片的卡塞置于兆聲波設(shè)備內(nèi)槽中，在60°C兆聲清洗10分鐘； 

(9) 將放有晶片的卡塞取出沖水10分鐘； 

(10) 將放有晶片的卡塞放入甩干機(jī)中，烘干。

     特殊的電應(yīng)用和光應(yīng)用中有不斷增長(zhǎng)的提性能的需求，顯影清洗，這要求大大地改進(jìn)硅以外的許多半導(dǎo)體的制造技術(shù)。

     這些材料的例子包括鍺，顯影設(shè)備，因?yàn)樗懈哂赟i的電子遷移率，有可能與高-k柵介質(zhì)集成；加工應(yīng)力溝道Si MOSFET所需的SiGe；以及碳化硅SiC，其帶隙很寬。除了zui先進(jìn)的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體也越來(lái)越引起人們的興趣。

清洗常用的化學(xué)試劑

　　（ACE）：【用途】除去有機(jī)殘余物，有機(jī)顆粒；除去光刻膠。 異bing醇（IPA）：【用途】溶解，將有機(jī)殘余物溶解。 DI水：【用途】溶解異bing醇，帶走殘余物。 ? SPM:  (H2SO4 : H2O2 : H2O）。

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