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晶圓腐蝕-常州晶圓-蘇州晶淼半導(dǎo)體(查看)

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發(fā)布時(shí)間:2022-10-27 03:25  





半導(dǎo)體器件有許多封裝型式,從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,晶圓清洗設(shè)備,技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn),這些都是前人根據(jù)當(dāng)時(shí)的組裝技術(shù)和市場(chǎng)需求而研制的。總體說(shuō)來(lái),它大概有三次重大的革新:在上世紀(jì)80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝,極大地提高了印刷電路板上的組裝密度;第二次是在上世紀(jì)90年代球型矩正封裝的出現(xiàn),它不但滿足了市場(chǎng)高引腳的需求,晶圓腐蝕,而且大大地改善了半導(dǎo)體器件的性能;晶片級(jí)封裝、系統(tǒng)封裝、芯片級(jí)封裝是現(xiàn)在第三次革新的產(chǎn)物,其目的就是將封裝減到小


濕法刻蝕:用液體化學(xué)劑去除襯底表面的材料。早期普遍使用,在 3um 以后由于線寬控 制、刻蝕方向性的局限,主要用干法刻蝕。目前,濕法刻蝕仍用于特殊材料層的去除和 殘留物的清洗。干法刻蝕:常用等離子體刻蝕,也稱等離子體刻蝕,即把襯底暴露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離 子,與暴露的表面材料發(fā)生物理反應(yīng)、化學(xué)反應(yīng)。

清洗槽(也叫酸槽/化學(xué)槽),主要有HF,常州晶圓,H2SO4,H2O2,HCL等酸堿液體按一定比例配置,目的是為了去除雜質(zhì),去離子,去原子,晶圓清洗臺(tái),后還有DI清洗。IPA是,就是工業(yè)酒精,是用來(lái)clean機(jī)臺(tái)或parts的,是為了減少partical的。





3.1.3 金屬一陶瓷封裝它是以傳統(tǒng)多層陶瓷工藝為基礎(chǔ),以金屬和陶瓷材料為框架而發(fā)展起來(lái)的。其特征是高頻特性好而噪音低而被用于微波功率器件,如微波毫米波二極管、微波低噪聲三極管、微波毫米波功率三極管。正因如此,它對(duì)封裝體積大的電參數(shù)如有線電感、引線電阻、輸出電容、特性阻抗等要求苛刻,故其成品率比較低;同時(shí)它必須很好地解決多層陶瓷和金屬材料的不同膨脹系數(shù)問(wèn)題,這樣才能保證其可靠性。金屬一陶瓷封裝的種類有分立器件封裝包括同軸型和帶線型;單片微波集成電路(MMIC)封裝包括載體型、多層陶瓷型和金屬框架一陶瓷絕緣型。


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