濕法清洗 ：

      濕法清洗采用液體化學溶劑和DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機物及金屬離子污染。通常采用的濕法清洗有RCA清洗法、稀釋化學法、 IMEC清洗法、單晶片清洗等。

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     就清洗媒介來說，濕法清洗仍然是現(xiàn)代先進晶圓清洗工藝的主力。雖然Si技術(shù)中的清洗化學材料與起初RCA的配方相差不大，RCA清洗臺，但整體工藝較為明顯的改變包括：采用了非常稀釋的溶液；簡化工藝；廣泛使用臭氧水。

蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、pp/pvc通風柜/廚、cds化學品集中供液系統(tǒng)解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、led等行業(yè)及高等院校、研究所等等科技領(lǐng)域的生產(chǎn)和研發(fā)。 

     硅材料表面的顆粒、有機物、金屬、吸附分子、微粗糙度、自然氧化層等嚴重影響器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超過集成電路制造中總損失的一半。因此，硅片清洗技術(shù)成為硅材料加工和半導(dǎo)體工藝研究的一大熱點。

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