它在大氣中的壽命約為50，000年，增溫(暖化)系數(shù)是6，500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，四氟化碳多少錢，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

 在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強，因此分離的可能性比較低。反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應(yīng)繼續(xù)進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩通入高濃氟氣，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應(yīng)繼續(xù)進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

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