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首先在器件和產(chǎn)品的設(shè)計中,應(yīng)充分體現(xiàn)靜電防護的思想,在器件內(nèi)部設(shè)置靜電防護元件(ESD Protection Device),盡量使用對靜電不敏感的器件以及對所使用的靜電放電敏感(ESDS, ESD-sensitive)器件提供適當(dāng)?shù)妮斎氡Wo,使其更合理地避免ESD的傷害。MOS工藝是集成電路制造的主導(dǎo)技術(shù), 以金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管為基本構(gòu)造元件。由于MOS器件中場效應(yīng)管的柵、源極之間是一層亞微米級的絕緣柵氧化層,故其輸入阻抗通常大于1000M ,并且具有5pF左右的輸入電容,極易受到靜電的損害。因此,在MOS器件的輸入級中均設(shè)置了電阻-二極管防護網(wǎng)絡(luò),串聯(lián)電阻能夠限制尖峰電流, 二極管則能限制瞬間的尖峰電壓。器件內(nèi)常見的防護元件還有:電容、雙極晶體管、可控硅整流器(SCR,見圖1)等, ESD發(fā)生時,它們在受保護器件之前迅速作出反應(yīng),將ESD的能量吸收、釋放,使被保護器件所受沖擊大為降低。正常情況下,防護元件在其一次崩潰(First Breakdown)區(qū)內(nèi)工作,不會受到ESD損傷,一旦外加電壓或電流過量(Overstress),進入二次崩潰(Secondary Breakdown)區(qū)的防護元件將受到不可逆轉(zhuǎn)的損害,失去對器件的保護作用。
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6、避免衣服和其它紡織品與元件接觸。
7、建議是穿棉布衣服和混棉料的短袖衣。
8、將元件裝入或拿出保護套時,保護套要與抗靜電面接觸。
9、保護工作臺或無保護的器件遠(yuǎn)離所有絕緣材料。
10、當(dāng)工作完成后將元件放回保護套中。
11、必須要用的文件圖紙要放入防靜電套中,紙會產(chǎn)生靜電。
12、不可讓沒帶手帶者觸摸元件,對參觀者要留意這點。
13、不可在有靜電敏感的地方更換衣服。
14、取元件時只可拿元件的主體。
15、不可將元件在任何表面滑動。
16、每日測試手帶。
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靜電敏感組件在儲存或運輸過程中會暴露于有靜電的區(qū)域中,用靜電屏蔽的方法可削弱外界靜電對電子組件的影響,通常的方法是用靜電屏蔽袋和防靜電周轉(zhuǎn)箱作為保護。另外防靜電衣對人體的衣服具有一定的屏蔽作用。
絕緣體往往是易產(chǎn)生靜電,對絕緣體靜電的消除,用接地方法是無效的,通常采用的方法是離子中和(部分采用屏蔽),即在工作環(huán)境中用離子風(fēng)機等,提供一等電位的工作區(qū)域。
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