不銹鋼蝕刻的分類
按蝕刻過程的分,主要有化學(xué)蝕刻和電化學(xué)蝕刻?;瘜W(xué)蝕刻是不銹鋼和環(huán)境介質(zhì)直接發(fā)生化學(xué)作用而產(chǎn)生的損壞,在蝕刻過程中沒有電生。例如不銹鋼在高溫的空氣中或中的蝕刻,非電解質(zhì)對不銹鋼的蝕刻機(jī)等。弓}起不銹鋼化學(xué)蝕刻的介質(zhì)不能導(dǎo)電。電化學(xué)蝕刻是不銹鋼在電解質(zhì)溶液中發(fā)生電化學(xué)作用而引起的損壞,在蝕刻過程中有電生。引起電化學(xué)蝕刻的介質(zhì)都能導(dǎo)電。例如,不銹鋼在酸、堿、鹽、土壤、海水等介質(zhì)中的蝕刻。電化學(xué)蝕刻與化學(xué)蝕刻的主要區(qū)別在千它可以分解為兩個(gè)相互獨(dú)立而又同時(shí)進(jìn)行的陰極過程和陽極過程,環(huán)保腐蝕機(jī)器供應(yīng)商,而化學(xué)蝕刻沒有這個(gè)特點(diǎn)。電化學(xué)蝕刻比化學(xué)蝕刻更為常見和普遍。


刻蝕機(jī)目前國際上主要的供應(yīng)商為應(yīng)用材料、LamResearch等。中國方面技術(shù)有慢慢追上的趨勢,即將登錄科創(chuàng)板的中微半導(dǎo)體,其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電(2330-TW)驗(yàn)證,鈦金腐蝕機(jī)器供應(yīng)商,將用于首條5nm制程生產(chǎn)線。而北方華創(chuàng)則是在14nm技術(shù)有所突破。市場預(yù)估今明兩年中國刻蝕機(jī)需求分別達(dá)15億美元與20億美元。 拋光:可以使晶圓表面達(dá)到性的平坦化,以利后續(xù)薄膜沉積工序。美國應(yīng)用材料、Rtec等均為國際上主要供應(yīng)商,中國則有中電科裝備、盛美半導(dǎo)體等。但陸廠的產(chǎn)品才剛打入8寸晶圓廠中,12寸的相關(guān)設(shè)備還在研發(fā),明顯與國際大廠有實(shí)力上的差距。市場預(yù)計(jì)今明兩年中國拋光機(jī)需求將達(dá)3.77億美元與5.11億美元。


在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,中國投入資金的就屬晶圓代工部份。具體來說,晶圓代工就是在硅晶圓上制作電路與電子元件,這個(gè)步驟為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)復(fù)雜,且資金投入的領(lǐng)域。 以處理器為例,保定腐蝕機(jī)器供應(yīng)商,其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道,且各類加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)又昂貴,小型腐蝕機(jī)器供應(yīng)商,動(dòng)輒數(shù)千萬美元起跳。而一個(gè)成熟的晶圓代工廠其設(shè)備投入占總設(shè)備比重在70%~80%之間。 氧化:其目的在于生成二氧化硅薄膜。用硅作為半導(dǎo)體原材料的重要因素之一就是硅容易生長出二氧化硅膜層,這樣在半導(dǎo)體上結(jié)合一層絕緣材料,就可用做摻雜阻擋層、表面絕緣層,及元件中的絕緣部分。

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