目前市場主流常規(guī)水平式蝕刻機，在板子雙面同時噴淋蝕刻過程中，顯然下表面蝕刻速度與蝕刻均勻性要比上表面好，上表面的板四周蝕刻速度快于中間部位。這主要由于通常的噴淋蝕刻過程中板子上表面會形成蝕刻液的“水池”，嚴重影響蝕刻均勻性與引起側(cè)蝕。

   真空蝕刻機的一組模塊結(jié)構(gòu)，自動標識標牌蝕刻機加盟，內(nèi)設(shè)有加裝智能吸水系統(tǒng)套件，吸取板面走蝕刻液，不使蝕刻液滯留在板面。真空吸液盤固定在橋板上離基板調(diào)為的距離位置。    如0.2mm厚以下的板子精度達到 -0.01mm，相比常規(guī)蝕刻機高出一倍，產(chǎn)能相比常規(guī)蝕刻機高出三分之一，同樣也提。使用該真空技術(shù)給企業(yè)改善精工制造也帶來強大的競爭力！

國內(nèi)生產(chǎn)刻蝕機水平高的企業(yè)為中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（這家同樣是有國資背景的企業(yè)，前兩大股東也是國有企業(yè)，所以有人說我國光刻機沒發(fā)展起來是因為國企的原因，這是不對的，中微半導(dǎo)體也可以說是國企，但是刻蝕機的技術(shù)水平是世界水平的。國內(nèi)刻蝕機的發(fā)展離不開尹志堯為代表的幾十位海歸技術(shù)。尹志堯曾經(jīng)擔任應(yīng)用材料的公司副總裁（應(yīng)用材料是半導(dǎo)體設(shè)備廠商老大），參與領(lǐng)導(dǎo)幾代等離子體刻蝕設(shè)備的開發(fā)，在美國工作時就持有86項。2004年回來之后，國家牽頭設(shè)立了中微半導(dǎo)體公司，尹志堯等人重新投入研發(fā)刻蝕機，僅僅用了3年的時間就做出了世界的刻蝕機，為此美國人無法接受，揭陽自動標識標牌蝕刻機，還起訴了中微半導(dǎo)體侵權(quán)，但是終的驗證結(jié)果是沒有任何的侵權(quán)。（這才是中微半導(dǎo)體比上海微電子發(fā)展快的原因，畢竟上海微電子的沒有人才在荷蘭的ASML工作過，也許正是因為這件事，所以美國現(xiàn)在禁止ASML招聘中國的員工）。我國的刻蝕機技術(shù)位于，自動標識標牌蝕刻機機械設(shè)備，中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕機贏進入臺積電7nm、10nm的生產(chǎn)線，中微半導(dǎo)體的刻蝕機制造工藝達到了5nm，已經(jīng)通過了臺積電的驗證

蝕刻設(shè)備的選擇

不管采用什么樣的蝕刻方法，都少不了與之配套的蝕刻設(shè)備，對于噴淋式蝕刻，需要購買合適的蝕刻機，蝕刻機傳輸式的蝕刻機也有非傳輸式噴射蝕刻機，傳輸式蝕刻機適用于批量生產(chǎn)，非傳輸式噴射蝕刻機適用于中小規(guī)模的生產(chǎn)，這種類型的蝕刻機一般都難以自制，而必須去設(shè)備廠定做或者在設(shè)備市場購買，蝕刻機選擇的原則主要由生產(chǎn)量決定，這里所指的生產(chǎn)量是指可以預(yù)計一段時間內(nèi)的平均日產(chǎn)量。

如果采用浸泡式蝕刻就需要一定體積的蝕刻槽，蝕刻槽體的材料根據(jù)蝕刻液的性質(zhì)而定，對于堿性蝕刻，自動標識標牌蝕刻機金屬上刻字，大多采用不銹鋼材料，并要注意有保溫裝置，對于酸性蝕刻體系，可采用 PP材質(zhì)制作，對于大型的蝕刻槽可以采用不銹鋼加內(nèi)襯軟PP材料制作。

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