目前市場主流常規(guī)水平式蝕刻機，在板子雙面同時噴淋蝕刻過程中，顯然下表面蝕刻速度與蝕刻均勻性要比上表面好，上表面的板四周蝕刻速度快于中間部位。這主要由于通常的噴淋蝕刻過程中板子上表面會形成蝕刻液的“水池”，嚴重影響蝕刻均勻性與引起側(cè)蝕。

   真空蝕刻機的一組模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)設(shè)有加裝智能吸水系統(tǒng)套件，吸取板面走蝕刻液，不使蝕刻液滯留在板面。真空吸液盤固定在橋板上離基板調(diào)為的距離位置。    如0.2mm厚以下的板子精度達到 -0.01mm，相比常規(guī)蝕刻機高出一倍，產(chǎn)能相比常規(guī)蝕刻機高出三分之一，同樣也提。使用該真空技術(shù)給企業(yè)改善精工制造也帶來強大的競爭力！

zui近光刻機和蝕刻機一直都是當(dāng)前zui熱的話題，可以說光刻機是芯片制造的魂，蝕刻機是芯片制造的魄，要想制造的芯片，這兩個東西都必須。    這倆機器zui簡單的解釋就是光刻機把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的硅片上面，刻蝕機再把剛才畫了電路圖的硅片上的多余電路圖腐蝕掉，這樣看起來似乎沒什么難的，但是有一個形象的比喻，每一塊芯片上面的電路結(jié)構(gòu)放大無數(shù)倍來看比整個北京都復(fù)雜，鄭州噴淋蝕刻機金屬上刻字，這就是這光刻和蝕刻的難度。    光刻的過程就是現(xiàn)在制作好的硅圓表面涂上一層光刻膠（一種可以被光腐蝕的膠狀物質(zhì)），接下來通過光線（工藝難度紫外光＜深紫外光＜極紫外光）透過掩膜照射到硅圓表面（類似投影），因為光刻膠的覆蓋，照射到的部分被腐蝕掉，沒有光照的部分被留下來，這部分便是需要的電路結(jié)構(gòu)。    蝕刻分為兩種，一種是干刻，一種是濕刻（目前主流），顧名思義，鋁板噴淋蝕刻機金屬上刻字，濕刻就是過程中有水加入，將上面經(jīng)過光刻的晶圓與特定的化學(xué)溶液反應(yīng)，去掉不需要的部分，剩下的便是電路結(jié)構(gòu)了，干刻目前還沒有實現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)，其原理是通過等離子體代替化學(xué)溶液，去除不需要的硅圓部分。

堿性蝕刻液一般適用于多層印制板的外層電路圖形制作，這種蝕刻方法在線路板制作中應(yīng)用非常廣泛，特別是圖形電鍍，這是較好的蝕刻方法之一。同時堿性蝕刻速度快，側(cè)蝕刻小，溶銅量大，大功率噴淋蝕刻機金屬上刻字，蝕刻液可以再生連續(xù)使用。

堿性CuCl2蝕刻液主要是由CuCl2和NH3-H2O組成，鈦金噴淋蝕刻機金屬上刻字，在CuCl2溶液中加入NH3-H2O會發(fā)生如下絡(luò)合反應(yīng)：CuCl2 4NH3-H2O＝[Cu(NH3)4]Cl2 4H2O，在蝕刻機藥箱內(nèi)，銅被[Cu(NH3)4]2 絡(luò)離子氧化成Cu 。其氧化反應(yīng)如下：[Cu(NH3)4]Cl2 Cu＝2[Cu(NH3)2]Cl。生成的[Cu(NH3)2] 為Cu 的絡(luò)離子，不具有氧化能力，在有過量NH3-H2O和Cl-存在的前提下，能很快被空氣中的氧氣所氧化，生產(chǎn)具有蝕刻能力的[Cu(NH3)4]2 。其絡(luò)離子再生反應(yīng)如下：

2[Cu(NH3)2]Cl 2NH4Cl 2NH3-H2O 1/2O2＝2[Cu(NH3)4]Cl2 2H2O。

從上面的化學(xué)方程式可以看出，在蝕刻機工作過程中，每腐蝕1mol銅需要消耗2mol NH3-H2O和2mol NH4Cl。因此在腐蝕機蝕刻過程中，隨著銅的溶解，應(yīng)不斷補充NH3-H2O和NH4Cl。

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