公共事業(yè)、電力、煤氣、新聞通訊行業(yè)：

需要清洗的產(chǎn)品：各類計量儀表、功率計、各類照明燈具、、隔電瓷瓶、通訊設備關鍵零部件等

污染源：油墨、油、灰塵、線頭、銹、泥、海鹽

使用清洗劑：有機洗滌劑；輕油（石油系洗滌劑）；堿性洗滌劑、中性洗滌劑

按頻率波可以分為三種，硅片刻蝕臺，即次聲波、聲波、超聲波。次聲波的頻率為20Hz以下；聲波的頻率為20Hz~20kHz；超聲波的頻率則為20kHz以上。其中的次聲波和超聲波一般人耳是聽不到的。超聲波由于頻率高、波長短，因而傳播的方向性好、穿透能力強，無錫硅片，這也就是設計制作超聲波清洗機的原因。

清洗機

機械零部件的污垢主要有潤滑脂、防銹油脂及其他混合物組成的油泥，可以采用堿性清洗液清洗、電化學清洗，也可采用超聲波清洗機清洗，硅片酸洗臺，超聲波清洗機清洗是一個清洗的專門類別，屬工業(yè)清洗。采用堿性清洗液清洗 堿性清洗液化學清洗的工藝流程為：裝掛－堿液清洗－水洗（50-90℃熱水）－干燥（熱壓縮空氣吹干，要求較高的零部件，經(jīng)壓縮空氣吹干后，還需要在105-1150C的電熱鼓風干燥箱中烘烤10分鐘. 采用堿性清洗液的電化學清洗 超聲波清洗應注意下列點：不宜清洗機件表面較厚的油污，油污較厚時需采用高壓噴淋的方法進行預清洗，對于彈簧件、薄壁鋼件，超高強度鋼件等不能在陰極上清洗（為避免材料滲氫，產(chǎn)生氫脆現(xiàn)象）；對銅、鋅、鎳等材料制成的機件不能在陽極上清洗（避免材料表面氧化）；定期進行電解液的定量分析，按分析結果補充化學試劑。

目前在 半導體清洗機濕式清洗制程中，主要應用項目包含晶圓清洗與濕式蝕刻兩項，晶圓 (濕式) 清洗制程主要是希望藉由化學藥品與清洗設備，清除來自周遭環(huán)境所附著在晶圓表面的臟污，硅片酸洗設備，以達到半導體組件電氣特性的要求與可靠度。至于臟污的來源，不外乎設備本身材料產(chǎn)生、現(xiàn)場作業(yè)員或制程工程師人體自身與動作的影響、化學材料或制程藥劑殘留或不純度的發(fā)生，以及制程反應產(chǎn)生物的結果，尤其是制程反應產(chǎn)生物一項，更成為制程污染主要來源，因此如何改善制程中所產(chǎn)生污染，便成為清洗制程中研究主要的課題。

過去 RCA 多槽濕式清洗一直是晶圓清洗的主要技術，不過隨著近年來制程與清洗設備的演進，不但在清洗制程中不斷產(chǎn)生新的技術，也隨著半導體后段封裝技術的演進，清洗設備也逐漸進入封裝廠的生產(chǎn)線中。以下本文即針對清洗設備與技術作一深入介紹，并分析清洗設備發(fā)展的關鍵機會及未來的發(fā)展趨勢。

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